MTSF3N02HD
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
I
DSS
, 泄漏 (na)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0
0 0.4 1.6 2
0
1
3
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 3. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 4. 转移 特性
0.04
0.02
图示 5. on–resistance 相比
gate–to–source 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 6. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
1
100
图示 7. on–resistance 变化
和 温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 8. drain–to–source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
≥
10 v
T
J
= –55
°
C
25
°
C
100
°
C
0.03
4
2
0.01
T
J
= 25
°
C
2
4
6
5
1
1.4 1.6 1.8 2
0.02
0.05
01 2 5 6
10
0 4 12 16
2.3 v
20
0.03
0.04
3
24 8
6
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
34
4.5 v
V
GS
= 2.7 v
T
J
= 25
°
C
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (normalized)
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
– 50 0 50 100 150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 1.9 一个
1257525–25
V
GS
= 0 v
T
J
= 125
°
C
100
°
C
1.2
5
6
2.1 v
2.5 v
1.7 v
2.9 v
1.9 v
4.5 v
V
GS
= 10 v
V
GS
= 3.8 v
T
J
= 25
°
C
1.21
0
1000
0.1
25
°
C
7
8
0.8
7
8
78
8
1.5 v
0.05
0.06
0.06
0.01
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