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MTY16N80E
2
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
drain–to–source 损坏 电压
(v
GS
= 0 vdc, i
D
= 250
µ
模数转换器)
温度 系数 (积极的)
V
(br)dss
800
—
—
570
—
—
Vdc
mv/
°
C
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 800 vdc, v
GS
= 0 vdc)
(v
DS
= 800 vdc, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
I
DSS
—
—
—
—
10
100
µ
模数转换器
gate–body 泄漏 电流 (v
GS
=
±
20 vdc, v
DS
= 0 vdc) I
GSS
— — 100 nAdc
在 特性 (1)
门 门槛 电压
(v
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
模数转换器)
温度 系数 (负的)
V
gs(th)
2.0
—
3.0
9.0
4.0
—
Vdc
mv/
°
C
静态的 drain–to–source on–resistance (v
GS
= 10 vdc, i
D
= 8.0 模数转换器) R
ds(在)
— 0.42 0.5 Ohm
drain–to–source on–voltage
(v
GS
= 10 vdc, i
D
= 16 模数转换器)
(v
GS
= 10 vdc, i
D
= 8.0 模数转换器, t
J
= 125
°
c)
V
ds(在)
—
—
7.3
—
9.4
8.4
Vdc
向前 跨导 (v
DS
≥
15 vdc, i
D
= 8.0 模数转换器) g
FS
10 15 — mhos
动态 特性
输入 电容
(v
DS
= 25 vdc, v
GS
= 0 vdc,
f = 1.0 mhz)
C
iss
— 7220 10110 pF
输出 电容
(v
DS
= 25 vdc, v
GS
= 0 vdc,
f = 1.0 mhz)
C
oss
— 508 710
反转 转移 电容
f = 1.0 mhz)
C
rss
— 65 130
切换 特性 (2)
turn–on 延迟 时间
(v
DD
= 400 vdc, i
D
= 16 模数转换器,
V
GS
= 10 vdc,
R
G
= 4.7
Ω
)
t
d(在)
— 52 100 ns
上升 时间
(v
DD
= 400 vdc, i
D
= 16 模数转换器,
V
GS
= 10 vdc,
R
G
= 4.7
Ω
)
t
r
— 112 200
turn–off 延迟 时间
V
GS
= 10 vdc,
R
G
= 4.7
Ω
)
t
d(止)
— 122 240
下降 时间
G
= 4.7
Ω
)
t
f
— 100 200
门 承担
(看 图示 8)
(v
DS
= 400 vdc, i
D
= 16 模数转换器,
V
GS
= 10 vdc)
Q
T
— 146 200 nC
(看 图示 8)
(v
DS
= 400 vdc, i
D
= 16 模数转换器,
V
GS
= 10 vdc)
Q
1
— 39 —
(v
DS
= 400 vdc, i
D
= 16 模数转换器,
V
GS
= 10 vdc)
Q
2
— 48 —
Q
3
— 53 —
source–drain 二极管 特性
向前 on–voltage
(i
S
= 16 模数转换器, v
GS
= 0 vdc)
(i
S
= 16 模数转换器, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
V
SD
—
—
0.9
0.79
1.2
—
Vdc
反转 恢复 时间
(看 图示 14)
(i
S
= 16 模数转换器, v
GS
= 0 vdc,
dI
S
/dt = 100 一个/
µ
s)
t
rr
— 995 —
ns
(看 图示 14)
(i
S
= 16 模数转换器, v
GS
= 0 vdc,
dI
S
/dt = 100 一个/
µ
s)
t
一个
— 428 —
(i
S
= 16 模数转换器, v
GS
= 0 vdc,
dI
S
/dt = 100 一个/
µ
s)
t
b
— 567 —
反转 恢复 贮存 承担 Q
RR
— 20 —
µ
C
内部的 包装 电感
内部的 流 电感
(量过的 从 这 流 含铅的 0.25
″
从 包装 至 中心 的 消逝)
L
D
— 4.5 —
nH
内部的 源 电感
(量过的 从 这 源 含铅的 0.25
″
从 包装 至 源 bond 垫子)
L
S
— 13 —
nH
(1) 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%.
(2) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.

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MTY16N80E 2 motorola tmos 电源场效应晶体管晶体管设备数据电的特性 (t J = 25 ° c 除非否则指出) 典型的标识最小值典型值最大值单位止特性 drain–to–source 损坏电压 (v GS = 0 vdc, i D = 250 µ 模数转换器) 温度系数 (积极的) V (br)dss 800 — — 570 — — Vdc mv/ ° C 零门电压流电流 (v DS = 800 vdc, v GS = 0 vdc) (v DS = 800 vdc, v GS = 0 vdc, t J = 125 ° c) I DSS — — — — 10 100 µ 模数转换器 gate–body 泄漏电流 (v GS = ± 20 vdc, v DS = 0 vdc) I GSS — — 100 nAdc 在特性 (1) 门门槛电压 (v DS = v GS , i D = 250 µ 模数转换器) 温度系数 (负的) V gs(th) 2.0 — 3.0 9.0 4.0 — Vdc mv/ ° C 静态的 drain–to–source on–resistance (v GS = 10 vdc, i D = 8.0 模数转换器) R ds(在) — 0.42 0.5 Ohm drain–to–source on–voltage (v GS = 10 vdc, i D = 16 模数转换器) (v GS = 10 vdc, i D = 8.0 模数转换器, t J = 125 ° c) V ds(在) — — 7.3 — 9.4 8.4 Vdc 向前跨导 (v DS ≥ 15 vdc, i D = 8.0 模数转换器) g FS 10 15 — mhos 动态特性输入电容 (v DS = 25 vdc, v GS = 0 vdc, f = 1.0 mhz) C iss — 7220 10110 pF 输出电容 (v DS = 25 vdc, v GS = 0 vdc, f = 1.0 mhz) C oss — 508 710 反转转移电容 f = 1.0 mhz) C rss — 65 130 切换特性 (2) turn–on 延迟时间 (v DD = 400 vdc, i D = 16 模数转换器, V GS = 10 vdc, R G = 4.7 Ω ) t d(在) — 52 100 ns 上升时间 (v DD = 400 vdc, i D = 16 模数转换器, V GS = 10 vdc, R G = 4.7 Ω ) t r — 112 200 turn–off 延迟时间 V GS = 10 vdc, R G = 4.7 Ω ) t d(止) — 122 240 下降时间 G = 4.7 Ω ) t f — 100 200 门承担 (看图示 8) (v DS = 400 vdc, i D = 16 模数转换器, V GS = 10 vdc) Q T — 146 200 nC (看图示 8) (v DS = 400 vdc, i D = 16 模数转换器, V GS = 10 vdc) Q 1 — 39 — (v DS = 400 vdc, i D = 16 模数转换器, V GS = 10 vdc) Q 2 — 48 — Q 3 — 53 — source–drain 二极管特性向前 on–voltage (i S = 16 模数转换器, v GS = 0 vdc) (i S = 16 模数转换器, v GS = 0 vdc, t J = 125 ° c) V SD — — 0.9 0.79 1.2 — Vdc 反转恢复时间 (看图示 14) (i S = 16 模数转换器, v GS = 0 vdc, dI S /dt = 100 一个/ µ s) t rr — 995 — ns (看图示 14) (i S = 16 模数转换器, v GS = 0 vdc, dI S /dt = 100 一个/ µ s) t 一个 — 428 — (i S = 16 模数转换器, v GS = 0 vdc, dI S /dt = 100 一个/ µ s) t b — 567 — 反转恢复贮存承担 Q RR — 20 — µ C 内部的包装电感内部的流电感 (量过的从这流含铅的 0.25 ″ 从包装至中心的消逝) L D — 4.5 — nH 内部的源电感 (量过的从这源含铅的 0.25 ″ 从包装至源 bond 垫子) L S — 13 — nH (1) 脉冲波测试: 脉冲波宽度 ≤ 300 µ s, 职责循环 ≤ 2%. (2) 切换特性是独立的运行接合面温度.

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