PIN3
集电级
(输出)
PIN2
发射级
(地面)
PIN1
根基
(输入)
R1
R2
1
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
偏差 电阻 晶体管
npn 硅 表面 挂载 晶体管 和
大而单一的 偏差 电阻 网络
这个 新 序列 的 数字的 晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的 设备
和 它的 外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻 晶体管)
包含 一个 单独的 晶体管 和 一个 大而单一的 偏差 网络 consisting 的 二
电阻器; 一个 序列 根基 电阻 和 一个 根基-发射级 电阻. 这 brt 排除
这些 单独的 组件 用 integrating 它们 在 一个 单独的 设备. 这 使用
的 一个 brt 能 减少 两个都 系统 费用 和 板 空间. 这 设备 是 housed
在 这 sc-70/sot-323 包装 这个 是 设计 为 低 电源 表面 挂载
产品.
•
使简化 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
这 sc-70/sot-323 包装 能 是 焊接 使用
波 或者 软熔焊接. 这 修改 gull-winged leads absorb
热的 压力 在 焊接 eliminating 这 possibility
的 损坏 至 这 消逝.
•
有 在 8 mm 压印浮凸 录音带 和 卷轴
使用 这 设备 号码 至 顺序 这 7 inch/3000 单位 卷轴.
替代 “t1” 和 “t3” 在 这 设备 号码 至 顺序 这
13 inch/10,000 单位 卷轴.
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 Vdc
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
(1)
减额 在之上 25
°
C
P
D
*150
1.2
mW
mw/
°
C
热的 特性
热的 阻抗 — 接合面-至-包围的 (表面 挂载) R
θ
JA
833
°
c/w
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–65 至 +150
°
C
最大 温度 为 焊接 目的,
时间 在 焊盘 bath
T
L
260
10
°
C
秒
设备 标记 和 电阻 值
设备 标记 r1 (k) r2 (k)
MUN5211T1
MUN5212T1
MUN5213T1
MUN5214T1
MUN5215T1
(2)
8A
8B
8C
8D
8E
10
22
47
10
10
10
22
47
47
∞
MUN5216T1
(2)
MUN5230T1
(2)
MUN5231T1
(2)
MUN5232T1
(2)
MUN5233T1
(2)
MUN5234T1
(2)
8F
8G
8H
8J
8K
8L
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
1. 设备 挂载 在 一个 fr-4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 这 最小 推荐 footprint.
2. 新 设备. updated 曲线 至 follow 在 subsequent 数据 薄板.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 mun5211t1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
npn 硅
偏差 电阻
晶体管
motorola preferred 设备
情况 419-02, 样式 3
sc-70/sot-323
MUN5211T1
序列
1
2
3
motorola, 公司 1996
rev 2
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