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资料编号:492848
 
资料名称:MUN2214T1G
 
文件大小: 150.44K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
mun2211t1 series–3/11
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
集电级-根基 截止 电流 (v
CB
= 50 v, i
E
= 0) I
CBO
100 nAdc
集电级-发射级 截止 电流 (v
CE
= 50 v, i
B
= 0) I
CEO
500 nAdc
发射级-根基 截止 电流 MUN2211T1
(v
EB
= 6.0 v, i
C
= 0) MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2236T1
MUN2237T1
MUN2240T1
MUN2241T1
I
EBO
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.05
0.13
0.2
0.1
mAdc
集电级-根基 损坏 电压 (i
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0) V
(br)cbo
50 Vdc
集电级-发射级 损坏 电压 (便条 4)
(i
C
= 2.0 毫安, i
B
= 0)
V
(br)ceo
50 Vdc
在 特性
(便条 4)
直流 电流 增益 MUN2211T1
(v
CE
= 10 v, i
C
= 5.0 毫安) MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2236T1
MUN2237T1
MUN2240T1
MUN2241T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
160
160
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
150
140
350
350
集电级-发射级 饱和 电压 (i
C
= 10 毫安, i
B
= 0.3 毫安)
(i
C
= 10 毫安, i
B
= 5 毫安) mun2230t1/mun2231t1
(i
C
= 10 毫安, i
B
= 1 毫安) mun2215t1/mun2216t1/
mun2232t1/mun2233t1/mun2234t1
V
ce(sat)
0.25 Vdc
输出 电压 (在)
(v
CC
= 5.0 v, v
B
= 2.5 v, r
L
= 1.0 k
) MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
(v
CC
= 5.0 v, v
B
= 3.5 v, r
L
= 1.0 k
) MUN2213T1
MUN2240T1
(v
CC
= 5.0 v, v
B
= 5.5 v, r
L
= 1.0 k
) MUN2236T1
(v
CC
= 5.0 v, v
B
= 4.0 v, r
L
= 1.0 k
) MUN2237T1
(v
CC
= 5.0 v, v
B
= 5.0 v, r
L
= 1.0 k
) MUN2241T1
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
Vdc
4. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
mun2211t1 序列
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