______________ 详细地 描述
主要的 功能
这 mxd1210 executes five 主要的 功能 至 执行
可依靠的 内存 运作 和 电池 backup (看
典型 运行 电路
和 图示 1):
1. 内存 电源-供应 转变: 这 转变 directs
电源 至 这 内存 从 这 新当选的 供应 或者
从 这 选择 电池, whichever 是 在 这
更好 电压. 这 转变 控制 使用 这 一样
标准 至 直接 电源 至 mxd1210 内部的
电路系统.
2. 电源-失败 发现: 这 写-保护 func-
tion 是 使能 当 一个 电源 失败 是 发现.
这 电源-失败 发现 范围 取决于 在 这
状态 的 这 tol 管脚 作 跟随:
电源-失败 发现 是 独立 的 这 电池-
backup 函数 和 precedes 它 sequentially 作 这
电源-供应 电压 drops 在 一个 典型 电源
失败.
3. 写 保护: 这个 holds 这 碎片-使能 输出
(
CEO
) 至 在里面 0.2v 的 v
CCI
或者 的 这 选择 bat-
tery, whichever 是 更好. 如果 这 碎片-使能 输入
(
CE
)是 低 (起作用的) 当 电源 失败 是 发现,
然后
CEO
是 使保持 低 直到
CE
是 brought 高, 在
这个 时间
CEO
是 gated 高 为 这 持续时间 的
这 电源 失败. 这 preceding sequence com-
pletes 这 电流 rd/wr 循环, 阻止 数据
corruption 如果 这 内存 进入 是 一个 wr 循环.
4. 电池 多余: 一个 第二 电池 是 optional.
当 二 batteries 是 连接, 这 stronger
电池 是 选择 至 提供 内存 backup 和 至
电源 这 mxd1210. 这 电池-选择 电路系统
仍然是 起作用的 当 在 这 电池-backup 模式,
selecting 这 stronger 电池 和 isolating 这
weaker 一个. 这 电池-选择 activity 是 trans-
parent 至 这 用户 和 这 系统. 如果 仅有的 一个 bat-
tery 是 连接, 这 第二 电池 输入 应当
是 grounded.
5. 电池-状态 警告: 这个 notifies 这 系统
当 这 stronger 的 这 二 batteries measures
≤
2.0v. 各自 时间 这 mxd1210 是 repowered
(v
CCI
> v
CCTP
) 之后 detecting 一个 电源 失败, 这
电池 电压 是 量过的. 如果 这 电池 在 使用 是
低, 下列的 这 mxd1210 恢复 时期, 这
设备 issues 一个 警告 至 这 系统 用 inhibit-
ing 这 第二 记忆 循环. 这 sequence 是 作
跟随:
第一 进入: 读 记忆 location n, loc(n) = x
第二 进入: 写 记忆 location n,
loc (n) = complement (x)
第三 进入: 读 记忆 location n, loc (n) = ?
如果 这 第三 进入 (读) 是 complement (x), 然后 这
电池 是 好的; 否则, 这 电池 是 不 好的.
返回 至 loc(n) = x 下列的 这 测试 sequence.
freshness-seal 模式
这 freshness-seal 模式 relates 至 电池 longevity
在 存储 相当 比 直接地 至 电池 backup.
这个 模式 是 使活动 当 这 第一 电池 是 连接-
ed, 和 是 defeated 当 这 电压 在 v
CCI
第一
超过 v
CCTP
. 在 这 freshness-seal 模式, 两个都 bat-
teries 是 分开的 从 这 系统; 那 是, 非 电流 是
drained 从 也 电池, 和 这 内存 是 不 pow-
ered 用 也 电池. 这个 意思 那 batteries 能 是
安装 和 这 系统 能 是 使保持 在 inventory 和-
输出 电池 释放. 这 积极的 边缘 比率 在
vbatt1 和 vbatt2 应当 超过 0.1v/
µ
s. 这 bat-
teries 将 维持 它们的 全部 shelf-生命 当 安装 在
这 系统.
电池 backup
这
典型 运行 电路
显示 这 mxd1210 con-
nected 在 顺序 至 写 保护 这 内存 当 v
CC
是
较少 比 4.75v, 和 至 提供 电池 backup 至 这
供应.
MXD1210
nonvolatile 内存 控制
_______________________________________________________________________________________ 5
情况
V
CCTP
范围 (v)
tol = 地 4.75 至 4.50
tol = v
CCO
4.50 至 4.25
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