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资料编号:499949
 
资料名称:STP60N06-14
 
文件大小: 77.67K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
 
 


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热的 数据
R
thj-情况
R
thj-amb
R
thj-amb
T
l
热的 阻抗 接合面-情况 最大值
热的 阻抗 接合面-包围的 最大值
热的 阻抗 情况-下沉 典型值
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的
1
62.5
0.5
300
o
c/w
o
c/w
o
c/w
o
C
avalanche 特性
标识 参数 最大值 值 单位
I
AR
avalanche 电流, repetitive 或者 不-repetitive
(脉冲波 宽度 限制 用 t
j
最大值,
δ
< 1%)
60 一个
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
(开始 t
j
= 25
o
c, i
D
= i
AR
, v
DD
= 25 v)
600 mJ
E
AR
repetitive avalanche 活力
(脉冲波 宽度 限制 用 t
j
最大值,
δ
< 1%)
150 mJ
I
AR
avalanche 电流, repetitive 或者 不-repetitive
(t
c
= 100
o
c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
j
最大值,
δ
< 1%)
50 一个
电的 特性
(t
情况
= 25
o
c 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源
损坏 电压
I
D
= 250
µ
一个 v
GS
= 0 60 V
I
DSS
零 门 电压
流 电流 (v
GS
= 0)
V
DS
= 最大值 比率
V
DS
= 最大值 比率 x 0.8 t
c
= 125
o
C
250
1000
µ
一个
µ
一个
I
GSS
门-身体 泄漏
电流 (v
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 v 100 nA
在 (
)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
I
D
= 250
µ
一个 234V
R
ds(在)
静态的 流-源 在
阻抗
V
GS
= 10 v i
D
= 30 一个
V
GS
= 10 v i
D
= 30 一个 t
c
= 100
o
C
0.012 0.014
0.028
I
d(在)
在 状态 流 电流 V
DS
> i
d(在)
x r
ds(在)最大值
V
GS
= 10 v
60 一个
动态
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(
) 向前
跨导
V
DS
> i
d(在)
x r
ds(在)最大值
I
D
= 30 一个 20 30 S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 电容
反转 转移
电容
V
DS
= 25 v f = 1 mhz v
GS
= 0 3900
950
250
4800
1200
320
pF
pF
pF
stp60n05-14/stp60n06-14
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