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资料编号:50069
 
资料名称:IS62C1024-70TI
 
文件大小: 423.72K
   
说明
 
介绍:
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
 
 


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整体的 电路 解决方案 公司
3
sr016-0b
IS62C1024
绝对 最大 比率
(1)
标识 参数 单位
V
终端 电压 和 遵守 至 地 –0.5 至 +7.0 V
T
偏差
温度 下面 偏差 –10 至 +85 °C
T
STG
存储 温度 –65 至 +150 °C
P
T
电源 消耗 1.5 W
I
输出
直流 输出 电流 (低) 20 毫安
注释:
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致
永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的
这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为
扩展 时期 将 影响 可靠性.
电容
(1,2)
标识 参数 情况 最大值 单位
C
输入 电容 V
= 0v 6 pF
C
输出
输出 电容 V
输出
= 0v 8 pF
注释:
1. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.
2. 测试 情况: t
一个
= 25°c, f = 1 mhz, vcc = 5.0v.
直流 电的 特性
(在 运行 范围)
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
OH
输出 高 电压 V
CC
= 最小值., i
OH
= –1.0 毫安 2.4 V
V
OL
输出 低 电压 V
CC
= 最小值., i
OL
= 2.1 毫安 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.2 V
CC
+ 0.5 V
V
IL
输入 低 电压
(1)
–0.3 0.8 V
I
LI
输入 泄漏
V
V
CC
com. –5 5 µA
ind. –10 10
I
LO
输出 泄漏
V
输出
V
CC
com. –5 5 µA
ind. –10 10
注释:
1. V
IL
= –3.0v 为 脉冲波 宽度 较少 比 10 ns.
电源 供应 特性
(1)
(在 运行 范围)
-35 ns -45 ns -55 ns -70 ns
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
I
CC
vcc 动态 运行 V
CC
= 最大值.,
CE
= v
IL
com. 150 135 120 90 毫安
供应 电流 I
输出
= 0 毫安, f = f
最大值
ind. 160 145 130 100
I
SB
1
ttl 备用物品 电流 V
CC
= 最大值., com. 40 40 40 40 毫安
(ttl 输入) V
= v
IH
或者 v
IL
,
CE1
V
IH
, ind. 60 60 60 60
或者 ce2
V
IL
, f = 0
I
SB
2
cmos 备用物品 V
CC
= 最大值., com. 30 30 30 30 毫安
电流 (cmos 输入)
CE1
V
CC
– 0.2v, ind. 40 40 40 40
CE2
0.2v, v
> v
CC
– 0.2v,
或者 v
0.2v, f = 0
注释:
1. 在 f = f
最大值
, 地址 和 数据 输入 是 cycling 在 这 最大 频率, f = 0 意思 非 输入 线条 改变.
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