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资料编号:510077
 
资料名称:INA332AIDGKT
 
文件大小: 292.52K
   
说明
 
介绍:
Low-Power, Single-Supply, CMOS INSTRUMENTATION AMPLIFIERS
 
 


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ina332, ina2332
7
SBOS216A
www.德州仪器.com
典型 特性
(内容.)
在 t
一个
= +25
°
c, v
S
= 5v, v
CM
= v
S
/2, r
L
= 10k
, 和 c
L
= 100pf, 除非 否则 指出.
安排好 时间 vs 增益
1 10 100 1k
增益 (v/v)
安排好 时间 (
µ
s)
60
50
40
30
20
10
0
输出 2vp-p
差别的
输入 驱动
0.01%
0.1%
百分比 越过 vs 加载 电容
10 100 1k 10k
加载 电容 (pf)
越过 (%)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
输出 100mvp-p
差别的 驱动
g = 5
g = 25
关闭 电压 vs 供应 电压
2.5
关闭 (v)
供应 电压 (v)
3 3.5 4
4.5 5 5.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
正常的 运作 模式
部分 牵引 在下 1
µ
一个 安静的 电流
运作 在 这个 区域
是 不 推荐
关闭 模式
关闭 瞬时 行为
50
µ
s/div
1v/div
V
SD
V
输出
25
20
15
10
5
0
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
补偿 电压 (mv)
percentage 的 放大器 (%)
补偿 电压 生产 分发
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
14
13
11
10
8
7
6
4
3
1
0
1
3
4
6
7
8
10
11
13
14
补偿 电压 (
µ
v/
°
c)
percentage 的 放大器 (%)
补偿 电压 逐渐变化
生产 分发
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