nand128-一个, nand256-一个, nand512-一个, nand01g-一个
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表格 2. 产品 描述
便条: 1. 双 消逝 设备.
图示 2. 逻辑 图解 表格 3. 信号 names
涉及 部分 号码 密度
总线
宽度
页
大小
块
大小
记忆
排列
运行
Voltage
Timings
包装
随机的
进入
最大值
Sequential
进入
最小值
页
程序
Typical
块
擦掉
典型
nand128-一个
NAND128R3A
128Mbit
x8
512+16
字节
16K+512
字节
32 页 x
1024 blocks
1.7 至 1.95v 12µs 60ns 200µs
2ms
TSOP48
USOP48
VFBGA55
NAND128W3A 2.7 至 3.6v 12µs 50ns 200µs
NAND128R4A
x16
256+8
Words
8K+256
Words
1.7 至 1.95v 12µs 60ns 200µs
NAND128W4A 2.7 至 3.6v 12µs 50ns 200µs
nand256-一个
NAND256R3A
256Mbit
x8
512+16
字节
16K+512
字节
32 页 x
2048 blocks
1.7 至 1.95v 12µs 60ns 200µs
2ms
TSOP48
USOP48
VFBGA55
NAND256W3A 2.7 至 3.6v 12µs 50ns 200µs
NAND256R4A
x16
256+8
Words
8K+256
Words
1.7to 1.95v 12µs 60ns 200µs
NAND256W4A 2.7 至 3.6v 12µs 50ns 200µs
nand512-一个
(1)
NAND512R3A
512Mbit
x8
512+16
字节
16K+512
字节
32 页 x
4096 blocks
1.7to 1.95v 12µs 60ns 200µs
2ms TFBGA55
NAND512W3A 2.7 至 3.6v 12µs 50ns 200µs
NAND512R4A
x16
256+8
Words
8K+256
Words
1.7 至 1.95v 12µs 60ns 200µs
NAND512W4A 2.7 至 3.6v 12µs 50ns 200µs
nand512-一个
NAND512R3A
512Mbit
x8
512+16
字节
16K+512
字节
32 页 x
4096 blocks
1.7to 1.95v 15µs 60ns 200µs
2ms
TSOP48
USOP48
VFBGA63
NAND512W3A 2.7 至 3.6v 12µs 50ns 200µs
NAND512R4A
x16
256+8
Words
8K+256
Words
1.7 至 1.95v 15µs 60ns 200µs
NAND512W4A 2.7 至 3.6v 12µs 50ns 200µs
nand01g-一个
NAND01GR3A
1Gbit
x8
512+16
字节
16K+512
字节
32 页 x
8192 blocks
1.7 至 1.95v 15µs 60ns 200µs
2ms
TSOP48
TFBGA63
NAND01GW3A 2.7 至 3.6v 12µs 50ns 200µs
NAND01GR4A
x16
256+8
Words
8K+256
Words
1.7 至 1.95v 15µs 60ns 200µs
NAND01GW4A 2.7 至 3.6v 12µs 50ns 200µs
AI07557C
W
i/o8-i/o15, x16
V
DD
与非 flash
E
V
SS
WP
AL
CL
RB
R
i/o0-i/o7, x8/x16
i/o8-15 数据 输入/输出 为 x16 设备
i/o0-7
数据 输入/输出, 地址 输入,
或者 command 输入 为 x8 和 x16
设备
AL 地址 获得 使能
CL command 获得 使能
E
碎片 使能
R
读 使能
RB
准备好/busy (打开-流 输出)
W
写 使能
WP
写 保护
V
DD
供应 电压
V
SS
地面
NC 不 连接 内部
DU 做 不 使用
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