MIC2214-KNBML_集成电路资料查询网

MIC2214 Micrel
MIC2214 8 8月 2004
使能 特性
时间 (100
µ
s/div)
VEN
(2v/div)
VOUT1
(2v/div)
VOUT2
(1v/div)
C
在
= 1
µ
F
C
输出
= 1
µ
f 陶瓷的
C
BYP
= 0.01
µ
F
V
在
= 5v
电源-在 重置 特性
时间 (2ms/div)
VEN
(2v/div)
POR
(1v/div)
VOUT1
(2v/div)
VOUT2
(1v/div)
C
在
= 1
µ
F
C
输出
= 1
µ
f 陶瓷的
C
设置
= 0.01
µ
F
C
BYP
= 0.01
µ
F
V
在
= 5v
加载 瞬时 回馈 (ldo 2)
时间 (4
µ
s/div)
IOUT2
(200ma/div)
VOUT1
(100mv/div)
VOUT2
(100mv/div)
C
在
= 1
µ
F
C
输出
= 1
µ
F
C
BYP
= 0.01
µ
F
V
在
= v
输出
+1V
300mA
100
µ
一个
加载 瞬时 回馈 (ldo 1)
时间 (4
µ
s/div)
IOUT1
(100ma/div)
VOUT1
(50mv/div)
VOUT2
(50mv/div)
C
在
= 1
µ
F
C
输出
= 1
µ
F
C
BYP
= 0.01
µ
F
V
在
= v
输出
+1V
150mA
100
µ
一个
函数的 特性

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MIC2214 Micrel MIC2214 8 8月 2004 使能特性时间 (100 µ s/div) VEN (2v/div) VOUT1 (2v/div) VOUT2 (1v/div) C 在 = 1 µ F C 输出 = 1 µ f 陶瓷的 C BYP = 0.01 µ F V 在 = 5v 电源-在重置特性时间 (2ms/div) VEN (2v/div) POR (1v/div) VOUT1 (2v/div) VOUT2 (1v/div) C 在 = 1 µ F C 输出 = 1 µ f 陶瓷的 C 设置 = 0.01 µ F C BYP = 0.01 µ F V 在 = 5v 加载瞬时回馈 (ldo 2) 时间 (4 µ s/div) IOUT2 (200ma/div) VOUT1 (100mv/div) VOUT2 (100mv/div) C 在 = 1 µ F C 输出 = 1 µ F C BYP = 0.01 µ F V 在 = v 输出 +1V 300mA 100 µ 一个加载瞬时回馈 (ldo 1) 时间 (4 µ s/div) IOUT1 (100ma/div) VOUT1 (50mv/div) VOUT2 (50mv/div) C 在 = 1 µ F C 输出 = 1 µ F C BYP = 0.01 µ F V 在 = v 输出 +1V 150mA 100 µ 一个函数的特性

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