NCN6010
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图示 5. 电源 向下 sequence oscillogram
水平的 shifters
当 这 sim card 电压 是 也 高等级的 或者 更小的 比
这 mpu v
DD
供应, 这 水平的 shifters 能 是
reprogrammed 至 cope 和 这 预期的 输出 电压.
当 这 mpu 和 这 sim card 运作 下面 这 一样
供应 电压, 这 直流/直流 转换器 是 不 使活动
(sim_vcc = v
DD
–50 mv) 和 这 信号 go 直接地
通过 这 水平的 shifters.
这 bi–directional i/o 线条 提供 一个 方法 至
automaticallyadapt 这 电压 区别 在 这
µ
CU
和 这 sim card. 在 增加 和 这 拉 向上 电阻, 一个
起作用的 拉 向上 电路 (图示 6 q1 和 q2) 提供 一个 快
承担 的 这 偏离 电容, yielding 一个 上升 时间 全部地
在里面 这 iso/emv 规格.
图示 6. 基本 i/o 线条 接口
地
V
DD
i/o
20 k 20 k
sim_io
V
CC
logicio/控制
200 ns200 ns
地
Q3
Q1 Q2
这 典型 波形 提供 在 图示 7 显示 如何 这
accelerator 运作. 在 这 第一 200 ns (典型), 这
斜度 的 这 上升 时间 是 solely 一个 函数 的 这 拉 向上
电阻 有关联的 和 这 偏离 电容. 在 这个
时期, 这 pmos 设备 是 不 使活动 自从 这 输入
电压 是 在下 它们的 vgs 门槛. 当 这 输入 斜度
crosses 这 vgsth, 这 opposite 一个 shot 是 使活动,
供应 一个 低 阻抗 至 承担 这 电容, 因此
增加 这 上升 时间 作 depicted 在 图示 7. 这 一样
mechanism 应用 为 这 opposite 一侧 的 这 线条 至 制造
确信 这 系统 是 最佳的.
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