NCP1200A
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protecting 这 控制 相反 负的 尖刺
作 和 任何 控制 建造 在之上 一个 cmos 技术, 它
是 这 设计者’s 职责 至 避免 这 存在 的 负的
尖刺 在敏感的 管脚. 负的 信号 有 这 bad habit
至 向前 偏差 这 控制 基质 和 induce erratic
behaviors. sometimes, 这 injection 能 是 所以 强 那
内部的 parasitic scrs 是 triggered, engendering
irremediable 损坏 至 这 ic 如果 它们 是 一个 低 阻抗
path 是 offered 在 v
CC
和 地. 如果 这 电流 sense
管脚 是 常常 这 seat 的 此类 spurious 信号, 这
high−voltage 管脚 能 也 是 这 源 的 问题 在
确实 circumstances. 在 这 turn−off sequence, e.g.
当这 用户 unplugs 这 电源 供应, 这 控制 是 安静的
喂养 用 它的 v
CC
电容 和 keeps activating 这 场效应晶体管
在 和 止 和 一个 顶峰 电流 限制 用 rsense.
unfortunately, 如果 这 质量 系数 q 的 这 resonating
网络 formed 用 lp 和 cbulk 是 低 (e.g. 这 场效应晶体管
rdson + rsense 是 小), 情况 是 符合 至 制造 这
电路resonate 和 因此 negatively 偏差 这 控制. 自从
我们 是 talking 关于 ms 脉冲, 这 数量 的 injected
承担 (q = i x t) 立即 latches 这 控制 这个
brutally discharges 它的 v
CC
电容. 如果 这个 v
CC
电容
是 的 sufficient 值, 它的 贮存 活力 损坏 这
控制. 图示 22 depicts 一个 典型 负的 shot
occurring 在 这 hv 管脚 在哪里 这 brutal v
CC
释放
testifies 为 latchup.
图示 22. 一个 负的 尖刺 takes 放置 在 这 大(量) 电容 在 这 switch−off sequence
简单的 和 inexpensive cures exist 至 阻止 从
内部的 parasitic scr 触发. 一个 的 它们 组成 在
inserting 一个 电阻 在 序列 和 这 high−voltage 管脚 至
保持 这 负的 电流 至 这 最低 当 这 大(量)
变为 负的 (图示 23). 请 便条 那 这 负的
尖刺 是 clamped 至 –2 x vf 预定的 至 这 二极管 桥. 请
谈及 至 and8069/d 为 电源 消耗 calculations.
另一选项 (图示 24) 组成 在线路 一个 二极管 从
V
CC
至 这 大(量) 电容 至 强迫 v
CC
至 reach uvlolow
sooner 和 因此 stops 这 切换 activity 在之前 这 大(量)
电容 gets deeply 释放. 为 安全 reasons, 二
二极管 能 是 连接 在 序列.
图示 23. 一个 简单的 电阻 在 序列 避免 任何
latchup 在 这 控制
CV
CC
D3
1N4007
8
7
6
5
1
2
3
4
+
Cbulk
+
1
3
CV
CC
Rbulk
> 4.7 k
8
7
6
5
1
2
3
4
+
Cbulk
+
1
2
3
图示 24. 或者 一个 二极管 forces v
CC
至 reach
uvlolow sooner
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