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资料编号:512639
 
资料名称:NCP1200D60R2G
 
文件大小: 151.17K
   
说明
 
介绍:
PWM Current-Mode Controller for Low-Power Universal Off-Line Supplies
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NCP1200
http://onsemi.com
10
时间
内部的
故障
标记
时间
时间
Drv
V
CC
驱动器
脉冲
驱动器
脉冲
11.4 v
9.8 v
6.3 v
规章制度
occurs here
Latchoff
阶段
故障 是
Relaxed
故障 occurs here
startup 阶段
图示 20. 如果 这 故障 是 relaxed 在 这 v
CC
自然的 下降 向下 sequence, 这 ic automatically 重新开始.
如果 这 故障 persists 当 v
CC
reached uvlo
L
, 然后 这 控制 cuts everything 止 直到 恢复.
calculating 这 v
CC
电容
作 这 在之上 部分 describes, 这 下降 向下 sequence
取决于 在之上 这 v
CC
水平的: 如何 长 做 它 引领 为 这
V
CC
线条 至 go 从 11.4 v 至 9.8 v? 这 必需的 时间
取决于 在 这 startup sequence 的 your 系统, i.e. 当
你 第一 应用 这 电源 至 这 ic. 这 相应的
瞬时 故障 持续时间 预定的 至 这 输出 电容 charging
必须 是 较少 比 这 时间 需要 至 释放 从 11.4 v
至 9.8 v,否则 这 供应 将 不 合适的 开始. 这 测试
组成 在 也 simulating 或者 测量 在 这 lab 如何
更 时间 这 系统 takes 至 reach 这 规章制度 在 全部
加载. let’s 假定 那 这个 时间 corresponds 至 6ms.
因此 一个 v
CC
下降 时间 的 10 ms 可以 是 好
appropriated 在 顺序 至 不 触发 这 超载 发现
电路系统. 如果 这 相应的 ic 消耗量, 包含
这 场效应晶体管 驱动, establishes 在 1.5 毫安, 我们 能 计算
这 必需的 电容 使用 这 下列的 formula:
t
V
C
i
, 和
v = 2v. 然后 为 一个 wanted
t 的 10 ms,
c 相等 8
f 或者 10
f 为 一个 标准 值. 当 一个
超载 情况 occurs, 这 ic blocks 它的 内部的
电路系统 和 它的 消耗量 drops 至 350
一个 典型. 这个
appends 在 v
CC
= 9.8 v 和 它 仍然是 stuck 直到 v
CC
reaches 6.5 v: 我们 是 在 latchoff 阶段. 又一次, 使用 这
计算 10
f 和 350
一个 电流 消耗量, 这个
latchoff 阶段 lasts: 109 ms.
protecting 这 控制 相反 负的 尖刺
作 和 任何 控制 建造 在之上 一个 cmos 技术, 它
是 这 设计者’s 职责 至 避免 这 存在 的 负的
尖刺 在敏感的 管脚. 负的 信号 有 这 bad habit
至 向前 偏差 这 控制 基质 和 induce erratic
behaviors. sometimes, 这 injection 能 是 所以 强 那
内部的 parasitic scrs 是 triggered, engendering
irremediable 损坏 至 这 ic 如果 它们 是 一个 低 阻抗
path 是 offered 在 v
CC
和 地. 如果 这 电流 sense
管脚 是 常常 这 seat 的 此类 spurious 信号, 这
high−voltage 管脚 能 也 是 这 源 的 问题 在
确实 circumstances. 在 这 turn−off sequence, e.g.
这 用户 unplugs 这 电源 供应, 这 控制 是 安静的
喂养 用 它的 v
CC
电容 和 keeps activating 这 场效应晶体管
在 和 止 和 一个 顶峰 电流 限制 用 rsense.
unfortunately, 如果 这 质量 系数 q 的 这 resonating
网络 formed 用 lp 和 cbulk 是 低 (e.g. 这 场效应晶体管
rdson + rsense 是 小), 情况 是 符合 至 制造 这
电路resonate 和 因此 negatively 偏差 这 控制. 自从
我们 是 talking 关于 ms 脉冲, 这 数量 的 injected
承担 (q = i x t) 立即 latches 这 控制 这个
brutally discharges 它的 v
CC
电容. 如果 这个 v
CC
电容
是 的 sufficient 值, 它的 贮存 活力 损坏 这
控制. 图示 21 depicts 一个 典型 负的 shot
occurring 在 这 hv 管脚 在哪里 这 brutal v
CC
释放
testifies 为 latchup.
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