ncp1010, ncp1011, ncp1012, ncp1013, ncp1014
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5
电的 特性
(为 典型 值 t
J
= 25
°
c, 为 最小值/最大值 值 t
J
= 0
°
c 至 +125
°
c, 最大值 t
J
= 150
°
c,
V
CC
= 8.0 v 除非 否则 指出.)
比率
管脚 标识 最小值 Typ 最大值 单位
供应 部分 和 v
CC
管理
V
CC
增加 水平的 在 这个 这 电流 源 turns−off 1 VCC
止
7.9 8.5 9.1 V
V
CC
减少 水平的 在 这个 这 电流 源 turns−on 1 VCC
在
6.9 7.5 8.1 V
V
CC
减少 水平的 在 这个 这 latch−off 阶段 ends 1 VCC
获得
4.4 4.7 5.1 V
V
CC
减少 水平的 在 这个 这 内部的 获得 是 released 1 VCC
重置
− 3.0 − V
内部的 ic 消耗量, 场效应晶体管 切换 在 65 khz 1 ICC1 − 0.92 1.1
(便条 2)
毫安
内部的 ic 消耗量, 场效应晶体管 切换 在 100 khz 1 ICC1 − 0.95 1.15
(便条 2)
毫安
内部的 ic 消耗量, 场效应晶体管 切换 在 130 khz 1 ICC1 − 0.98 1.2
(便条 2)
毫安
内部的 ic 消耗量, latch−off 阶段, v
CC
= 6.0 v 1 ICC2 − 290 −
一个
起作用的 齐纳 电压 积极的 补偿 至 vcc
止
1 Vclamp 140 200 300 mV
latch−off 电流
ncp1012/13/14
ncp1010/11
1 ILatch
6.3
5.8
7.4
7.3
9.2
9.0
毫安
电源 转变 电路
电源 转变 电路 on−state 阻抗
ncp1012/13/14 (id = 50 毫安)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
ncp1010/11 (id = 50 毫安)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
5 R
DSon
−
11
19
22
38
16
24
35
50
电源 转变 电路 和 startup 损坏 电压
(id
(止)
= 120
一个, t
J
= 25
°
c)
5 BVdss 700 − − V
电源 转变 和 startup 损坏 电压 off−state
泄漏 电流
T
J
= 25
°
c (vds = 700 v)
T
J
= 125
°
c (vds = 700 v)
5
5
I
ds(止
)
−
−
50
30
−
−
一个
切换 特性
(rl = 50
, vds 设置 为 idrain = 0.7 x ilim)
turn−on 时间 (90%−10%)
turn−off 时间 (10%−90%)
5
5
ton
toff
−
−
20
10
−
−
ns
内部的 startup 电流 源
high−voltage 电流 源, v
CC
= 8.0 v
ncp1012/13/14
ncp1010/11
1 IC1
5.0
5.0
8.0
8.5
10
10.3
毫安
high−voltage 电流 源, v
CC
= 0 1 IC2 − 10 − 毫安
电流 比较器
T
J
= 25
°
c (便条 2)
最大 内部的 电流 选点, ncp1010 (便条 3)
5 ipeak (22) 90 100 110 毫安
最大 内部的 电流 选点, ncp1011 (便条 3) 5 ipeak (22) 225 250 275 毫安
最大 内部的 电流 选点, ncp1012 (便条 3) 5 ipeak (11) 225 250 275 毫安
最大 内部的 电流 选点, ncp1013 (便条 3) 5 ipeak (11) 315 350 385 毫安
最大 内部的 电流 选点, ncp1014 (便条 3) 5 ipeak (11) 405 450 495 毫安
default 内部的 电流 选点 为 skip−cycle 运作,
percentage 的 最大值 ip
− I
Lskip
− 25 − %
传播 延迟 从 电流 发现 至 流 止 状态 − T
DEL
− 125 − ns
leading 边缘 blanking 持续时间 − T
LEB
− 250 − ns
2. 看 描绘 曲线 为 温度 evolution.
3. 调整 di/dt 至 reach ipeak 在 3.2
秒.
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