april 1996
NDP4050L/ ndb4050l
n-频道逻辑 水平的 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
_______________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 NDP4050L NDB4050L 单位
V
DSS
流-源 电压 50 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
<1 m
Ω
)
50 V
V
GSS
门-源 电压- 持续的 ± 16 V
- nonrepetitive (t
P
< 50 µs) ± 25
I
D
流 电流 - 持续的 15 一个
- 搏动 45
P
D
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
50 W
减额 在之上 25
°
C 0.33 w/
°
C
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 -65 至 175 °C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8" 从 情况 为 5 秒
275 °C
ndp4050l rev. b / ndb4050l rev. c
这些 逻辑 水平的 n-channel 增强 模式 电源 地方
效应 晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的,
高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度
处理 有 被 特别 tailored 至 降低 在-状态
阻抗, 提供 更好的 切换 效能, 和
承受 高 活力 脉冲 在 这 avalanche 和
commutation 模式. 这些 设备 是 特别 suited 为
低 电压 产品 此类 作 automotive, 直流/直流
转换器, pwm 发动机 控制, 和 其它 电池 powered
电路 在哪里 快 切换, 低 在-线条 电源 丧失, 和
阻抗 至 过往旅客 是 需要.
15a, 50v. r
ds(在)
= 0.1
Ω
@ v
GS
= 5v
低 驱动 (所需的)东西 准许 运作 直接地 从 逻辑
驱动器. v
gs(th)
< 2.0v.
核心的 直流 电的 参数 指定 在 提升
温度.
坚毅的 内部的 源-流 二极管 能 eliminate 这 需要
为 一个 外部 齐纳 二极管 瞬时 suppressor.
175°c 最大 接合面 温度 比率.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
至-220 和 至-263 (d
2
pak) 包装 为 两个都 通过 孔
和 表面 挂载 产品.
S
D
G
© 1997 仙童 半导体 公司
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