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资料编号:513362
 
资料名称:NDB6060L
 
文件大小: 360.51K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
C
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 二极管 特性
I
S
最大 continuos 流-源 二极管 向前 电流 48 一个
I
SM
最大 搏动 流-源 二极管 向前 电流 144 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压 V
GS
= 0 v,I
S
= 24 一个(便条 1) 1.3 V
T
J
= 125°c
1.2
t
rr
反转 恢复 时间
V
GS
= 0 v, i
F
= 48 一个,
dI
F
/dt = 100 一个/µs
35 75 140 ns
I
rr
反转 恢复 电流 2 3.6 8 一个
热的 特性
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 1.5
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 62.5
°
c/w
便条:
1.脉冲波 测试: 脉冲波 宽度<300 µs, 职责 循环<2.0%.
ndp6060l rev. d / ndb6060l rev. e
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