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资料编号:513755
 
资料名称:NDP4060L
 
文件大小: 68.32K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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ndp4060l rev. b / ndb4060l rev. c
0 1 2 3 4 5
0
5
10
15
20
25
30
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
v = 10v
GS
DS
D
6.0
5.0
4.5
3.5
4.0
3.0
2.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v = 5v
GS
i = 7.5a
D
r , normalized
ds(在)
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
i = 250µa
D
v = v
DS GS
J
v , normalized
th
0 5 10 15 20 25 30
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
v = 3.0v
GS
6.0
10
3.5
4.0
4.5
5.0
0 5 10 15 20 25 30
0.5
1
1.5
2
2.5
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
t = 125°c
J
-55°c
D
v = 5 v
GS
25°C
r , normalized
ds(在)
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性 图示 2. 在-阻抗 变化 with门 电压
和 流 电流
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度
图示 4. 在-阻抗 变化 和 流
电流 和 温度
图示 5. 转移 特性 图示 6. 门 门槛 变化 和
温度
1 2 3 4 5 6
0
4
8
12
16
20
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
v = 10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
25°C
125°C
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