六月1996
NDP7060L/ ndb7060l
n-频道逻辑 水平的 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 NDP7060L NDB7060L 单位
V
DSS
流-源 电压 60 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
<1 m
Ω
)
60 V
V
GSS
门-源 电压- 持续的 ± 20 V
- nonrepetitive (t
P
< 50 µs)
± 40
I
D
流 电流 - 持续的 75 一个
- 搏动 225
P
D
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C 150 W
减额 在之上 25
°
C 1 w/
°
C
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -65 至 175 °C
ndp7060l rev. b2 / ndb7060l rev. c
S
D
G
75a, 60v. r
ds(在)
= 0.015
Ω
@ v
GS
= 5v
低 驱动 (所需的)东西 准许 运作 直接地 从 逻辑
驱动器. v
gs(th)
< 2.0v.
核心的 直流 电的 参数 指定 在 提升
温度.
坚毅的 内部的 源-流 二极管 能 eliminate 这 需要
为 一个 外部 齐纳 二极管 瞬时 suppressor.
175°c 最大 接合面 温度 比率.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
至-220 和 至-263 (d
2
pak) 包装 为 两个都 通过 孔
和 表面 挂载 产品.
这些 逻辑 水平的 n-频道 增强 模式 电源 地方
效应 晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的,
高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度
处理 有 被 特别 tailored 至 降低 在-状态
阻抗, 提供 更好的 切换 效能, 和
承受 高 活力 脉冲 在 这 avalanche 和
commutation 模式. 这些 设备 是 特别 suited 为
低 电压 产品 此类 作 automotive, 直流/直流
转换器, pwm 发动机 控制, 和 其它 电池 powered
电路 在哪里 快 切换, 低 在-线条 电源 丧失, 和
阻抗 至 过往旅客 是 需要.
© 1997 仙童 半导体 公司
: 点此下载
