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资料编号:513803
 
资料名称:NDS8858H
 
文件大小: 350.72K
   
说明
 
介绍:
Complementry MOSFET Half Bridge
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 类型 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa n-ch 30 V
V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa
p-ch -30 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24v,V
GS
= 0 v n-ch 1 µ一个
T
J
= 55°c
10 µ一个
V
DS
= -24v,V
GS
= 0 v p-ch -1 µ一个
T
J
= 55°c
-10 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v,V
DS
= 0 v 所有 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v
所有 -100 nA
在 特性
(便条 3)
V
GS(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
=250 µa
n-ch 1 1.6 2.8 V
T
J
= 125°c
0.7 1.2 2.2
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa
p-ch -1 -1.6 -2.8
T
J
= 125°c
-0.7 -1.2 -2.2
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
=10 v,I
D
=4.8一个
n-ch 0.033 0.035
T
J
= 125°c 0.046 0.063
V
GS
=4.5 v,I
D
=3.7一个
0.046 0.05
V
GS
= -10 v,I
D
= -4.8一个 p-ch 0.052 0.065
T
J
= 125°c
0.075 0.13
V
GS
= -4.5 v,I
D
= -3.7一个 0.085 0.1
I
D(在)
在-状态 流 电流
V
GS
=10 v, v
DS
=5V
n-ch 20 一个
V
GS
= -10 v, v
DS
= -5V p-ch -20
g
FS
向前 跨导
V
DS
=10v, i
D
=4.8一个
n-ch 10 S
V
DS
= -10v, i
D
= -4.8一个 p-ch 7
动态特性
C
iss
输入 电容 n-频道
V
DS
= 15v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
p-频道
V
DS
= -15v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
n-ch 720 pF
p-ch 690
C
oss
输出 电容 n-ch 370 pF
p-ch 430
C
rss
反转 转移 电容 n-ch 250 pF
p-ch 160
nds8858h rev. c
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