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资料编号:513806
 
资料名称:NDS9952A
 
文件大小: 366.07K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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NDS9952A.sam
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压
i = -250µa
D
bv , normalized
DSS
J
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0.001
0.01
0.1
0.5
1
5
10
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
0 2 4 6 8 10 12
0
2
4
6
8
10
q , 门 承担 (nc)
-v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = -2.9a
D
v = -10v
DS
-20v
-15v
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 30
50
100
200
300
500
800
1000
-v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
rss
图示 18.p-频道损坏 电压
变化 和 温度.
图示 19.p-频道身体 二极管 向前
电压 变化 和 电流 和
温度
.
图示 20.p-频道电容 特性.
图示 21.p-频道门 承担 特性.
典型 电的 特性: p-频道(持续)
-10-8-6-4-20
0
1
2
3
4
5
6
i , 流 电流 (一个)
g , 跨导 (siemens)
t = -55°c
J
25°C
125°C
v = -15v
DS
D
FS
图示 22.p-频道跨导 变化
和 流 电流 和 温度.
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