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资料编号:513809
资料名称:
NDS335N
文件大小: 59.51K
说明
:
介绍
:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa
20
V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 16
v, v
GS
= 0 v
1
µ
一个
T
J
=125°C
10
µ
一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 8
v, v
DS
= 0 v
100
nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -8
v,
V
DS
=
0 v
-100
nA
在 特性
(便条 2
)
V
GS
(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µ
一个
0.5
0.7
1
V
T
J
=125°C
0.3
0.5
0.8
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= 2.7
v, i
D
= 1.7
一个
0.084
0.14
Ω
T
J
=125°C
0.13
0.25
V
GS
= 4.5
v, i
D
= 1.7
一个
0.065
0.11
I
d(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 2.7
v, v
DS
= 5
V
5
一个
V
GS
= 4.5
v, v
DS
= 5 v
10
g
FS
向前 跨导
V
DS
= 5 v, i
D
= 1.7 一个,
6
S
动态
特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 10
v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
240
pF
C
oss
输出 电容
130
pF
C
rss
反转 转移 电容
40
pF
切换 ch
ARACTERISTICS
(便条 2
)
t
d(在
)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= 5
v, i
D
= 1
一个,
V
GS
= 4.5
v, r
Gen
= 6
Ω
8
20
ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
29
45
ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间
28
40
ns
t
f
转变 - 止 下降 时间
8
20
ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= 10 v, i
D
= 1.7 一个,
V
GS
= 4.5 v
6.4
9
nC
Q
gs
门-源 承担
0.5
nC
Q
gd
门-流 承担
2
nC
nds335 rev.c
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