关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:513814
资料名称:
NDS355AN
文件大小: 60.76K
说明
:
介绍
:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa
30
V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24
v,
V
GS
= 0 v
1
µ
一个
T
J
=125°C
10
µ
一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 20
V
DS
= 0 v
100
nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v
,
V
DS
= 0 v
-100
nA
在 特性
(便条 2
)
V
GS
(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µ
一个
1
1.6
2
V
T
J
=125°C
0.5
1.2
1.5
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= 4.5
v, i
D
= 1.7
一个
0.105
0.125
Ω
T
J
=125°C
0.16
0.23
V
GS
= 10
v, i
D
= 1.9
一个
0.065
0.085
I
d(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 4.5
v, v
DS
= 5
V
6
一个
g
FS
向前 跨导
V
DS
= 5 v, i
D
= 1.7 一个
3.5
S
动态
特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 15
v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
195
pF
C
oss
输出 电容
135
pF
C
rss
反转 转移 电容
48
pF
切换 ch
ARACTERISTICS
(便条 2
)
t
d(在
)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= 10
v, i
D
= 1 一个
,
V
GS
= 10
v, r
GEN
= 6
Ω
10
20
ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
13
25
ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间
13
25
ns
t
f
转变 - 止 下降 时间
4
10
ns
t
d(在
)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= 5
v, i
D
= 1 一个
,
V
GS
= 4.5
v, r
GEN
= 6
Ω
10
20
ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
32
60
ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间
10
20
ns
t
f
转变 - 止 下降 时间
5
10
ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= 10 v, i
D
= 1.7 一个,
V
GS
= 5 v
3.5
5
nC
Q
gs
门-源 承担
0.8
nC
Q
gd
门-流 承担
1.7
nC
nds355an rev.c
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com