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资料编号:513814
 
资料名称:NDS355AN
 
文件大小: 60.76K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa 30 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24v,V
GS
= 0 v
1 µ一个
T
J
=125°C
10 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v
-100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µ一个 1 1.6 2 V
T
J
=125°C
0.5 1.2 1.5
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= 4.5v, i
D
= 1.7一个
0.105 0.125
T
J
=125°C
0.16 0.23
V
GS
= 10v, i
D
= 1.9一个
0.065 0.085
I
d(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 4.5v, v
DS
= 5V
6 一个
g
FS
向前 跨导
V
DS
= 5 v, i
D
= 1.7 一个
3.5 S
动态特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 15v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
195 pF
C
oss
输出 电容 135 pF
C
rss
反转 转移 电容 48 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= 10v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 10v, r
GEN
= 6
10 20 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 13 25 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 13 25 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 4 10 ns
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= 5v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 4.5v, r
GEN
= 6
10 20 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 32 60 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 10 20 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 5 10 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= 10 v, i
D
= 1.7 一个,
V
GS
= 5 v
3.5 5 nC
Q
gs
门-源 承担 0.8 nC
Q
gd
门-流 承担 1.7 nC
nds355an rev.c
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