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资料编号：513832
 
资料名称：NDS8961
 
文件大小： 331.09K
   
说明：
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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Electrical 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
=250 µa 30 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24v,V
GS
= 0 v
1 µ一个
T
J
= 55
o
C 10 µA
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 20v,V
DS
= 0 v
100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转 V
GS
= -20v,V
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
=250 µa
1 1.6 3 V
T
J
= 125
o
C 0.7 1.2 2
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= 10v,I
D
= 3.1一个
0.072 0.1
Ω
T
J
= 125
o
C 0.107 0.18
V
GS
= 4.5v,I
D
= 2.6一个
0.116 0.15
I
D(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= 10v, v
DS
= 5V 10 一个
V
GS
= 4.5v, v
DS
= 5V
4
g
FS
向前 跨导 V
DS
=10v,I
D
=3.1一个 4.3 S
动态特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 15v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
190 pF
C
oss
输出 电容 120 pF
C
rss
反转 转移 电容 40 pF
切换特性
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= 10v, i
D
=1 一个,
V
GS
= 10v, r
GEN
= 6
Ω
7 15 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 15 30 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 14 28 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 3 6 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
=10v,
I
D
= 3.1一个, v
GS
=10V
7.1 10 nC
Q
gs
门-源 承担 1.2 nC
Q
gd
门-流 承担 1.9 nC
nds8961 rev.d
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