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资料编号:513835
 
资料名称:NDS9945
 
文件大小: 209.45K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(
T
一个
= 25
O
c 除非 否则 指出 )
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
=250 µa 60 V
BV
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
I
D
=250 µa, 关联 至 25
o
C
60
mv/
o
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 48v,V
GS
= 0 v
1 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20v,V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20v,V
DS
= 0 v
-100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µ一个 1 1.7 3 V
T
J
=125°C
0.7 2.2
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗 V
GS
= 10v,I
D
= 3.5一个 0.076 0.1
T
J
=125°C
0.1240.18
V
GS
=4.5v,I
D
=2.5一个 0.103 0.2
T
J
=125°C
0.166 0.3
I
d(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= 10v, v
DS
= 10V 10 一个
g
FS
向前 跨导
V
DS
= 10v, i
D
= 3.5一个
5.3 S
动态ch aracteristics
C
iss
输入 电容 V
DS
= 25v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
345 pF
C
oss
输出 电容 110 pF
C
rss
反转 转移 电容 25 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间
V
DS
= 30v,I
D
= 1一个
5 25 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
V
GS
= 10V, r
GEN
= 6
7.5 30
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 20 50
t
f
转变 - 止 下降 时间 7 40
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= 30v, i
D
= 3.5一个, 12.9 30 nC
Q
gs
门-源 承担
V
GS
= 10V
1.7
Q
gd
门-流 承担 3.2
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 1.3 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压
V
GS
= 0 v, i
S
= 1.3一个
(便条 2)
0.8 1.2 V
t
rr
反转 恢复 时间
V
GS
= 0 v, i
F
= 1.3一个,
dI
F
/dt = 100 一个/µs
40 ns
I
rr
反转 恢复 电流 1.5 一个
注释:
1. R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这焊盘 挂载 表面 的 这 流 管脚.R
θ
JC
是 有保证的
设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2.脉冲波 测试: 脉冲波 宽度<300µs, 职责 循环<2.0%.
NDS9945rev.b
c. 135
O
c/w 在一个 0.003
2
垫子 的 2oz铜.
b. 125
O
c/w 在一个 0.02
2
垫子 的2oz铜.
一个. 78
O
c/w 在一个 0.5
2
垫子 的 2oz铜.
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