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资料编号:513837
 
资料名称:NDS9956
 
文件大小: 341.13K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NDS9956A.sam
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压
i = 250µa
D
bv , normalized
DSS
J
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0.001
0.01
0.1
0.5
1
5
10
v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
0 2 4 6 8 10 12
0
2
4
6
8
10
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = 3.7a
D
20V
15V
v = 10v
DS
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 30
50
100
200
300
500
800
1000
v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
rss
图示 7.损坏 电压 变化 和
温度.
图示 8.身体 二极管 向前 电压 变化
和 电流 和 温度
.
图示 9.电容 特性.
图示 10.门 承担 特性.
典型 电的 特性
0 2 4 6 8 10
0
2
4
6
8
10
i , 流 电流 (一个)
g , 跨导 (siemens)
t = -55°c
J
25°C
D
FS
v =10v
DS
125°C
图示 11.跨导 变化 和 流
电流 和 温度.
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