NDS7002A_集成电路资料查询网

2N7000.sam rev. a1
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
1.075
1.1
t  , 六月ction teM每ature (°c)
流-源 breakdown 电压
J
bv        , normalized
DSS
i    = 250µa
D
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0.001
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
v       , 身体 二极管 为WArd voltage (v)
i   , 反转 dr一个在 电流 (一个)
v      = 0v
GS
t  = 125°c
J
SD
S
25°C
-55°C
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
0
2
4
6
8
10
q    , gate cHARGe (nc)
v      , gate-所以urce 电压 (v)
g
GS
i   =500毫安
D
v    = 25v
DS
115毫安
280毫安
1 2 3 5 10 20 30 50
1
2
5
10
20
40
60
v       , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v     = 0v
GS
C
oss
C
rss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
在
输出
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
输入, v
在
输出, v
输出
t
在
t
止
t
d(止)
t
f
t
r
t
d(在)
Inverted
10%
脉冲波 宽度
图示 7. 损坏 电压 变化
和 温度
图示 8.  身体 二极管 向前 电压 变化 和
电流 和 温度
图示 9.电容 特性 图示 10. 门 承担 特性
图示 11.切换 测试 电路 图示 12.切换 波形
典型 电的 特性
(持续)
2n7000 / 2n7002 /nds7002a

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2N7000.sam rev. a1 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0.925 0.95 0.975 1 1.025 1.05 1.075 1.1 t , 六月ction teM每ature (°c) 流-源 breakdown 电压 J bv , normalized DSS i = 250µa D 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 0.001 0.005 0.01 0.05 0.1 0.5 1 2 v , 身体二极管为WArd voltage (v) i , 反转 dr一个在电流 (一个) v = 0v GS t = 125°c J SD S 25°C -55°C 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 0 2 4 6 8 10 q , gate cHARGe (nc) v , gate-所以urce 电压 (v) g GS i =500毫安 D v = 25v DS 115毫安 280毫安 1 2 3 5 10 20 30 50 1 2 5 10 20 40 60 v , 流至源电压 (v) 电容 (pf) DS C iss f = 1 mhz v = 0v GS C oss C rss G D S V DD R L V V 在输出 V GS DUT R GEN 10% 50% 90% 10% 90% 90% 50% 输入, v 在输出, v 输出 t 在 t 止 t d(止) t f t r t d(在) Inverted 10% 脉冲波宽度图示 7. 损坏电压变化和温度图示 8. 身体二极管向前电压变化和电流和温度图示 9.电容特性图示 10. 门承担特性图示 11.切换测试电路图示 12.切换波形典型电的特性 (持续) 2n7000 / 2n7002 /nds7002a

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