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资料编号:513854
 
资料名称:NDS8426A
 
文件大小: 330.01K
   
说明
 
介绍:
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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Electrical 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa 20 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 16v,V
GS
= 0 v
1 µ一个
T
J
= 55°c 10 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 8 v,V
DS
= 0 v
100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转 V
GS
= -8 v,V
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa
0.4 0.6 1 V
T
J
= 125°c 0.3 0.5 0.8
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= 4.5 v,I
D
= 10.5一个
0.012 0.0135
T
J
= 125°c
0.017 0.024
V
GS
= 2.7 v,I
D
= 10一个
0.014 0.016
I
D(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 4.5 v, v
DS
= 5 v
30 一个
g
FS
向前 跨导
V
DS
= 5v, i
D
= 10.5一个
43 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
2150 pF
C
oss
输出 电容 890 pF
C
rss
反转 转移 电容 165 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= 5v, i
D
= 1 一个,
V
GEN
= 4.5 v, r
GEN
= 6
11 30 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 26 55 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 145 220 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 40 100 ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= 10v,
I
D
= 10.5一个, v
GS
= 4.5 v
43 60 nC
Q
gs
门-源 承担 7 nC
Q
gd
门-流 承担 8 nC
nds8426a rev.b1
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