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资料编号:513893
 
资料名称:NDT456P
 
文件大小: 243.34K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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ndt456p rev. f
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.5
0.75
1
1.25
1.5
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v = -10v
GS
i =-7.5a
D
r , normalized
ds(在)
-20-16-12-8-40
0.5
1
1.5
2
2.5
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
v =-3.5v
GS
-10
-5.0
-7.0
-4.5
-4.0
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 characteristics.
图示 2.在-阻抗 变化 with
电压 和 流 电流.
图示 3.在-阻抗 变化
温度.
图示 4.在-阻抗 变化 和 流
电流 和 温度.
图示 5.转移 特性. 图示 6.门 门槛 变化 和
温度.
-4-3.2-2.4-1.6-0.8
-20
-16
-12
-8
-4
0
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
25
125
v =- 10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
-20-16-12-8-40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = -10v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
D
r , normalized
ds(在)
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
t , 六月CTIOn tEMature (°c)
门-源 门槛 电压
J
v , normalized
gs(th)
i =- 250µa
D
v = v
GS
DS
-3-2-10
-20
-16
-12
-8
-4
0
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
v = -10v
GS
DS
D
-3.5
-4.0
-3.0
-2.5
-4.5
-5.0
-6.0
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