NE3210S01_集成电路资料查询网

数据 薄板  p14067ej2v0ds00
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NE3210S01
典型  特性  (t
一个
= +25 °c)
250
200
150
100
50
0 50 100 150 200 250
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
包围的 温度 t
一个
(
°
c)
总的 电源 消耗 p
tot
(mw)
流 电流 vs.
流 至 源 电压
流 至 源 电压 v
DS
(v)
100
80
60
40
20
0 2.01.0
流 电流 i
D
(毫安)
V
GS
= 0 v
–0.2 v
–0.4 v
–0.6 v
60
40
20
0
–2.0 –1.0 0
流 电流 vs.
门 至 源 电压
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 电流 i
D
(毫安)
频率 f (ghz)
最大 稳固的 增益 msg. (db)
最大 有 增益 mag. (db)
向前 嵌入 增益 |s
21s
|
2
(db)
V
DS
= 2 v
最大 有 增益, 向前
嵌入 增益 vs. 频率
24
20
16
12
8
4
13024 206 8 10 14
V
DS
= 2 v
I
D
= 10 毫安
msg.
mag.
|S
21S
|
2

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数据薄板 p14067ej2v0ds00 3 NE3210S01 典型特性 (t 一个 = +25 °c) 250 200 150 100 50 0 50 100 150 200 250 总的电源消耗 vs. 包围的温度包围的温度 t 一个 ( ° c) 总的电源消耗 p tot (mw) 流电流 vs. 流至源电压流至源电压 v DS (v) 100 80 60 40 20 0 2.01.0 流电流 i D (毫安) V GS = 0 v –0.2 v –0.4 v –0.6 v 60 40 20 0 –2.0 –1.0 0 流电流 vs. 门至源电压门至源电压 v GS (v) 流电流 i D (毫安) 频率 f (ghz) 最大稳固的增益 msg. (db) 最大有增益 mag. (db) 向前嵌入增益 \|s 21s \| 2 (db) V DS = 2 v 最大有增益, 向前嵌入增益 vs. 频率 24 20 16 12 8 4 13024 206 8 10 14 V DS = 2 v I D = 10 毫安 msg. mag. \|S 21S \| 2

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