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资料编号:514042
 
资料名称:NE425S01-T1B
 
文件大小: 57.5K
   
说明
 
介绍:
C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NE425S01
2
电的 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
门 至 源 leak 电流 I
GSO
0.5 10
µ
AV
GS
= –3 v
saturated 流 电流 I
DSS
20 60 90 毫安 V
DS
= 2 v, v
GS
= 0 v
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–0.2 –0.7 –2.0 V V
DS
= 2 v, i
D
= 100
µ
一个
跨导 g
m
45 60 mS V
DS
= 2v, i
D
= 10 毫安
噪音 图示 NF 0.60 0.80 dB V
DS
= 2 v, i
D
= 10 毫安, f = 12 ghz
有关联的 增益 G
一个
10.5 12.0 dB
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
250
200
150
100
50
0 50 100 150 200 250
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
T
一个
- 包围的 温度 - ˚c
P
tot
- 总的 电源 消耗 - mw
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
100
80
60
40
20
0 3.01.5
I
D
- 流 电流 - 毫安
V
GS
= 0 v
–0.2 v
–0.4 v
–0.6 v
–0.8 v
60
40
20
0
–2.0 –1.0 0
流 电流 vs.
门 至 源 电压
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 毫安
V
DS
= 2 v
最大 有 增益, forward
嵌入 增益 vs. 频率
f - 频率 - ghz
24
20
16
12
8
4
1
msg. - 最大 稳固的 增益 - db
mag. - 最大 availabel 增益 - db
|S
21S
|
2
- 向前 嵌入 增益 - db
2 4 6 8 10 14 20 30
V
DS
= 2 v
I
D
= 10 毫安
msg.
mag.
|S
21S
|
2
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