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资料编号:514057
资料名称:
NE4210S01-T1B
文件大小: 65.23K
说明
:
介绍
:
X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
: 点此下载
1
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8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 p14232ej2v0ds00
2
NE4210S01
电的 特性 (t
一个
= +25 °c)
参数
标识
测试 情况
最小值
典型值
最大值
单位
门 至 源 leak 电流
I
GSO
V
GS
= –3 v
–
0.5
10
µ
一个
saturated 流 电流
I
DSS
V
DS
= 2 v, v
GS
= 0 v
154070mA
门 至 源 截 止 电压
V
gs (止)
V
DS
= 2 v, i
DS
= 100
µ
一个
–0.2
–0.7
–2.0
V
跨导
g
m
V
DS
= 2 v, i
DS
= 10 毫安
40
55
–
mS
噪音 图示
NF
–
0.50
0.70
dB
有关联的 增益
G
一个
V
DS
= 2 v, i
DS
= 10 毫安
f = 12 ghz
11.0
13.0
–
dB
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