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资料编号:514057
 
资料名称:NE4210S01-T1B
 
文件大小: 65.23K
   
说明
 
介绍:
X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 p14232ej2v0ds00
2
NE4210S01
电的 特性 (t
一个
= +25 °c)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 至 源 leak 电流 I
GSO
V
GS
= –3 v 0.5 10
µ
一个
saturated 流 电流 I
DSS
V
DS
= 2 v, v
GS
= 0 v 154070mA
门 至 源 截 止 电压 V
gs (止)
V
DS
= 2 v, i
DS
= 100
µ
一个 –0.2 –0.7 –2.0 V
跨导 g
m
V
DS
= 2 v, i
DS
= 10 毫安 40 55 mS
噪音 图示 NF 0.50 0.70 dB
有关联的 增益 G
一个
V
DS
= 2 v, i
DS
= 10 毫安
f = 12 ghz
11.0 13.0 dB
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