飞利浦 半导体 产品 规格
ne/sa5230低 电压 运算的 放大器
1994 8月 31
3
绝对 最大 比率
标识 参数 比率 单位
V
CC
单独的 供应 电压 18 V
V
S
双 供应 电压
±
9 V
V
在
输入 电压
1
±
9 (18) V
差别的 输入 电压
1
±
V
S
V
V
CM
一般模式 电压 (积极的) V
CC
+0.5 V
V
CM
一般模式 电压 (负的) V
EE
-0.5 V
P
D
电源 消耗
2
500 mW
T
J
运行 接合面 温度
2
150
°
C
80output 短的-电路 持续时间 至 也 电源 供应 管脚
2,
3
Indefinite s
T
STG
存储 温度 -65 至 150
°
C
T
出售
含铅的 焊接 温度 (10sec 最大值) 300
°
C
注释:
1. 能 超过 这 供应 电压 当 v
S
≤±
7.5v (15v).
2. 这 最大 运行 接合面 温度 是 150
°
c. 在 提升 温度, 设备 必须 是 derated 符合 至 这 包装 ther-
mal 阻抗 和 设备 挂载 情况. 减额 在之上 25
°
c 在 这 下列的 比率:
fe 包装 在 6.7mw/
°
C
n 包装 在 9.5mw/
°
C
d 包装 在 6.25mw/
°
C
3. momentary shorts 至 也 供应 是 permitted 在 一致 至 瞬时 热的 阻抗 限制 决定 用 这 包装 和
设备 挂载 情况.
推荐 运行 情况
参数 比率 单位
单独的 供应 电压 1.8 至 15 V
双 供应 电压
±
0.9 至
±
7.5 V
一般模式 电压 (积极的) V
CC
+0.25 V
一般模式 电压 (负的) V
EE
-0.25 V
温度
ne 等级 0 至 70
°
C
sa 等级 -40 至 85
°
C
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