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资料编号:514511
 
资料名称:NE72218-T1
 
文件大小: 60.16K
   
说明
 
介绍:
C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
 
 


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数据 薄板
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不 所有 设备/类型 有 在 每 country. 请 审查 和 local nec 代表 为
有效性 和 额外的 信息.
文档 非. p12750ej3v0ds00 (3rd 版本)
日期 发行 8月 2000 ns cp(k)
打印 在 日本
©
1997, 2000
这 mark
••
显示 主要的 修订 点.
gaas mes 场效应晶体管
NE72218
c 至 x 带宽 放大器
c 至 x 带宽 osc
n-频道 gaas mes 场效应晶体管
特性
高 电源 增益 在 c 至 x 带宽: g
S
= 4.5 db 典型值 @ f = 12 ghz
门 长度 : l
g
= 0.8
µ
m
门 宽度 : w
g
= 400
µ
m
4-管脚 超级的 minimold 包装
录音带 &放大; 卷轴 包装 仅有的 有
订货 信息
部分 号码 包装 供应 表格
ne72218-t1 4-管脚 超级的 minimold
8 mm 宽 压印浮凸 taping
管脚 3 (源), 管脚 4 (流) 面向 这 perforation 一侧 的 这 录音带
qty 3 kpcs/卷轴
ne72218-t2
8 mm 宽 压印浮凸 taping
管脚 1 (源), 管脚 2 (门) 面向 这 perforation 一侧 的 这 录音带
qty 3 kpcs/卷轴
Remark
至 顺序 evaluation 样本, 咨询 your nec 销售 代表 (部分 号码 为 样本 顺序:
ne72218).
绝对 最大 比率 (t
一个
°
°°
°
c)
参数 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DS
5.0 V
门 至 源 电压 V
GS
5.0 V
流 电流 I
D
I
DSS
毫安
总的 电源 消耗 P
tot
250 mW
频道 温度 T
ch
125
°
C
存储 温度 T
stg
65 至 +125
°
C
因为 这个 产品 使用 高-频率 技术, 避免 过度的 静态的 electricity, 等
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