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资料编号:514623
 
资料名称:TC55NEM208A
 
文件大小: 107.71K
   
说明
 
介绍:
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
tc55nem208afpn/aftn55,70
2002-09-18 2/10
块 图解
运行 模式
模式 CE OE r/w i/o1~i/o8 电源
读 l l h 输出 i
DDO
写 l
*
l 输入 I
DDO
输出 deselect L H H 高-z I
DDO
备用物品 h
*
*
高-z I
DDS
*
= don't 小心
h = 逻辑 高
L = 逻辑 低
最大 比率
标识 比率 值 单位
V
DD
电源 供应 电压
0.3~7.0 v
V
输入 电压
0.3
*
~7.0 v
V
i/o
输入/输出 电压
0.5~v
DD
+
0.5 V
P
D
电源 消耗 0.6 W
T
焊盘
焊接 温度 (10s) 260 °C
T
stg
存储 温度
55~150 °c
T
opr
运行 温度
40~85 °c
*
:
2.0 v 当 量过的 在 一个 脉冲波 宽度 的 20ns
column 地址
缓存区
A5
i/o1
记忆 cell 排列
2,048
×
256
×
8
(4,194,304)
column 地址
解码器
column adderss
寄存器
sense 放大
CE
A6
A7
A8
A9
A14
A11
A15
A16
CE
V
DD
CE
r/w
OE
A4
CE
A18
A2a0 a1 A17a3 a10 a12A13
行 地址
解码器
行 地址
缓存区
行 地址
寄存器
i/o2
i/o3
i/o4
i/o5
i/o6
i/o7
i/o8
数据
控制
时钟
发生器
8
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