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资料编号:515506
 
资料名称:NIF5002NT1
 
文件大小: 58.08K
   
说明
 
介绍:
Self-Protected FET with Temperature and Current Limit
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NIF5002N
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain−to−source 损坏 电压
(便条 4)
V
(br)dss
V =0V I =10mA
T
J
= 25
°
C 42 46 55
V
(便条 4)
()
V
GS
= 0 v, i
D
= 10 毫安
T
J
= 150
°
C 40 45 55
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V 0V V 32 V
T
J
= 25
°
C 0.25 4.0
一个
V
GS
= 0 v, v
DS
= 32 v
T
J
= 150
°
C 1.1 20
门 输入 电流 I
GSSF
V
DS
= 0 v, v
GS
= 5.0 v 50 100
一个
在 特性
(便条 4)
门 门槛 电压
V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 150
一个 1.3 1.8 2.2 V
门 门槛 温度 系数 V
gs(th)
/t
J
4.0 6.0 −mv/
°
C
静态的 drain−to−source on−resistance R
ds(在)
V 10 V I 17A
T
J
= 25
°
C 165 200
m
()
V
GS
= 10 v, i
D
= 1.7 一个
T
J
= 150
°
C 305 400
V =50V I =17A
T
J
= 25
°
C 195 230
V
GS
= 5.0 v, i
D
= 1.7 一个
T
J
= 150
°
C 360 460
V =50V I =05A
T
J
= 25
°
C 190 230
V
GS
= 5.0 v, i
D
= 0.5 一个
T
J
= 150
°
C 350 460
source−drain 向前 在 电压 V
SD
V
GS
= 0 v, i
S
= 7.0 一个 1.0 V
切换 特性
turn−on 时间
t
d(在)
V
GS
= 10 v, v
DD
= 12 v,
I
D
=25A R
L
=47
20 30
s
turn−off 时间 t
d(止)
I
D
= 2.5 一个, r
L
= 4.7
,
(10% v
至 90% i
D
)
65 100
回转 比率 在 dV
DS
/dt
R
L
= 4.7
, v
= 0 至 10 v,
V
DD
= 12 v, 70% 至 50%
1.2
V

s
slew−rate 止 dV
DS
/dt
R
L
= 4.7
, v
= 0 至 10 v,
V
DD
= 12 v, 50% 至 70%
0.5
自 保护 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出) (便条 5)
电流 限制 I
LIM
V 10 V V 50V
T
J
= 25
°
C
3.1 4.7 6.3
一个
V
DS
= 10 v, v
GS
= 5.0 v
T
J
= 150
°
C
2.0 3.2 4.3
V =10V V =10V
T
J
= 25
°
C
3.8 5.7 7.6
V
DS
= 10 v, v
GS
= 10 v
T
J
= 150
°
C
2.8 4.3 5.7
温度 限制 (turn−off) T
lim(止)
V
GS
= 5.0 v
150 175 200
°
C
温度 限制 (电路 重置) T
lim(在)
V
GS
= 5.0 v
135 160 185
温度 限制 (turn−off) T
lim(止)
V
GS
= 10 v
150 165 185
温度 限制 (电路 重置) T
lim(在)
V
GS
= 10 v
135 150 170
静电释放 电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
electro−static 释放 能力
静电释放
人 身体 模型 (hbm) 4000
V
机器 模型 (mm) 400
4. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
5. 故障 情况 是 viewed 作 在之外 这 正常的 运行 范围 的 这 部分.
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