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资料编号:517270
 
资料名称:STP3NK80Z
 
文件大小: 608.51K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
 
 


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STP3NK80Z - STF3NK80Z - STD3NK80Z - std3nk80z-1
电的 特性
(t
情况
=25°C 除非 否则 指定)
开关
动态
二极管
便条: 1. 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs, 职责 循环 1.5 %.
2. 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围.
3. C
oss eq.
定义 一个 常量 相等的 电容 一样 charging 时间 C
oss
V
DS
增加 0 80%
V
DSS
.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源
损坏 电压
I
D
=1ma,v
GS
= 0 800 V
I
DSS
电压
电流 (v
GS
=0)
V
DS
= 最大值 比率
V
DS
= 最大值 比率, T
C
= 125 °C
1
50
µA
µA
I
GSS
门-身体 泄漏
电流 (v
DS
=0)
V
GS
= ± 20V ±10 µA
V
gs(th)
门槛 电压
V
DS
=V
GS
,i
D
=50µA
3 3.75 4.5 V
R
ds(在)
静态的 流-源
阻抗
V
GS
=10v,i
D
= 1.25 一个 3.8 4.5
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(1) 向前 跨导 V
DS
=15V
,
I
D
= 1.25 一个 2.1 S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 电容
反转 转移
电容
V
DS
=25v,f=1mhz,v
GS
= 0 485
57
11
pF
pF
pF
C
oss eq.
(3) 相等的 输出
电容
V
GS
=0v,v
DS
= 0V 640V 22 pF
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
V
DD
=400v,i
D
= 1.25 一个
R
G
= 4.7
V
GS
=10V
(resistive 加载 看, 图示 3)
17
27
36
40
ns
ns
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
总的 承担
门-源 承担
门-流 承担
V
DD
=640v,i
D
= 2.5 一个,
V
GS
=10V
19
3.2
10.8
nC
nC
nC
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SD
I
SDM
(2)
源-流 电流
源-流 电流 (搏动)
2.5
10
一个
一个
V
SD
(1)
向前 电压
I
SD
= 2.5 一个, V
GS
=0
1.6 V
t
rr
Q
rr
I
RRM
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
反转 恢复 电流
I
SD
= 2.5 一个, di/dt = 100 一个/µs
V
DD
=50v,t
j
= 25°C
(看 测试 电路, 图示 5)
384
1600
8.4
ns
nC
一个
t
rr
Q
rr
I
RRM
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
反转 恢复 电流
I
SD
= 2.5 一个, di/dt = 100 一个/µs
V
DD
=50v,t
j
= 150°C
(看 测试 电路, 图示 5)
474
2100
8.8
ns
nC
一个
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