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nm27c040 rev. c.1
nm27c040 4,194,304-位 (512k x 8) 高 效能 cmos 非易失存储器
程序编制 波形
(便条 13)
程序编制 特性
(注释 11, 12, 13, 14)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
作
地址 建制 时间 1
µ
s
t
OES
oe 建制 时间 1
µ
s
t
DS
数据 建制 时间 1
µ
s
t
VPS
V
PP
建制 时间 1
µ
s
t
VCS
V
CC
建制 时间 1
µ
s
t
AH
地址 支撑 时间 0
µ
s
t
DH
数据 支撑 时间 1
µ
s
t
DF
输出 使能 至 输出 float 延迟 ce/pgm = x 0 60 ns
t
PW
程序 脉冲波 宽度 45 50 105
µ
s
t
OE
数据 有效的 从 oe ce/pgm = x 100 ns
I
PP
V
PP
供应 电流 在 ce/pgm = v
IL
30 毫安
程序编制 脉冲波
I
CC
V
CC
供应 电流 30 毫安
T
一个
温度 包围的 20 25 30
°
C
V
CC
电源 供应 电压 6.25 6.5 6.75 V
V
PP
程序编制 供应 电压 12.5 12.75 13.0 V
t
FR
输入 上升, 下降 时间 5 ns
V
IL
输入 低 电压 -0.1 0.0 0.45 V
V
IH
输入 高 电压 2.4 4.0 V
t
在
输入 定时 涉及 电压 0.8 2.0 V
t
输出
输出 定时 涉及 电压 0.8 2.0 V
便条 11:
仙童’s 标准 产品 保用单 应用 仅有的 至 设备 编写程序 至 规格 描述 在此处.
便条 12:
V
CC
必须 是 应用 同时发生地 或者 在之前 v
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 v
PP
. 这 非易失存储器 必须 不 是 inserted 在 或者 移除 从 一个 板 和
电压 应用 至 v
PP
或者 v
CC
.
便条 13:
这 最大 绝对 容许的 电压 这个 将 是 应用 至 这 v
PP
管脚 在 程序编制 是 14v. 小心 必须 是 带去 当 切换 这 v
PP
供应 至
阻止 任何 越过 从 exceeding 这个 14v 最大 规格. 在 least 一个 0.1
µ
f 电容 是 必需的 横过 v
PP
, v
CC
至 地 至 压制 spurious 电压 过往旅客
这个 将 损坏 这 设备.
便条 14:
在 电源 向上 这 ce/pgm 管脚 必须 是 brought 高 (
≥
V
IH
) 也 coincident 和 或者 在之前 电源 是 应用 至 v
PP
.
t
作
t
AH
程序
程序
核实
地址 n
t
DF
数据 输出 有效的
增加 n
数据 在 稳固的
增加 n
hi-z
t
DS
t
DH
t
VCS
t
VPS
t
PW
t
OES
t
OE
2V
0.8v
2V
0.8v
6.25v
12.75v
2V
0.8v
2V
0.8v
地址
数据
V
PP
ce/pgm
OE
V
CC
ds010836-5
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