函数的 描述
设备 运作
这 六 模式 的 运作 的 这 非易失存储器 是 列表 在 ta-
ble I 它 应当 是 指出 那 所有 输入 为 这 六 模式 是
在 TTL levels 这 电源 供应 必需的 是 V
CC
和
V
PP
这 V
PP
电源 供应 必须 是 在 1275V 在 这
三 程序编制 modes 和 必须 是 在 5V 在 这 其它
三 modes 这 V
CC
电源 供应 必须 是 在 625V dur-
ing 这 三 程序编制 modes 和 在 5V 在 这 其它
三 modes
读 模式
这 非易失存储器 有 二 控制 functions 两个都 的 这个 必须
是 logically 起作用的 在 顺序 至 获得 数据 在 这 outputs
碎片 使能 (cepgm) 是 这 电源 控制 和 应当 是
使用 为 设备 selection 输出 使能 (oe) 是 这 输出
控制 和 应当 是 使用 至 门 数据 至 这 输出 pins
独立 的 设备 selection 假设 那 地址
是 stable 地址 进入 时间 (t
ACC
) 是 equal 至 这 延迟
从 CE 至 输出 (t
CE
) 数据 是 有 在 这 输出 t
OE
之后 这 下落 边缘 的 OE 假设 那 CEPGM 有
被 低 和 地址 有 被 稳固的 为 在 least t
ACC
–
t
OE
备用物品 模式
这 非易失存储器 有 一个 备用物品 模式 这个 减少 这 起作用的
电源 消耗 用 在 99% 从 385 mW 至 055 mW
这 非易失存储器 是 放置 在 这 备用物品 模式 用 应用 一个
CMOS 高 信号 至 这 CEPGM input 当 在 备用物品
mode 这 输出 是 在 一个 高 阻抗 state indepen-
dent 的 这 OE input
输出 使不能运转
这 非易失存储器 是 放置 在 输出 使不能运转 用 应用 一个 TTL
高 信号 至 这 OE input 当 在 输出 使不能运转 所有 cir-
cuitry 是 enabled 除了 这 输出 是 在 一个 高 imped-
ance 状态 (触发-状态)
输出 或者-typing
因为 这 非易失存储器 是 通常地 使用 在 大 记忆 ar-
rays 国家的 有 提供 一个 2-线条 控制 函数 那
accommodates 这个 使用 的 多样的 记忆 connections
这 2-线条 控制 函数 准许 for
一个) 这 最低 可能 记忆 电源 dissipation 和
b) 完全 assurance 那 输出 总线 contention 将 不
occur
至 大多数 efficiently 使用 这些 二 控制 lines 它 是 recom-
mended 那 CEPGM 是 解码 和 使用 作 这 primary
设备 selecting function 当 OE 是 制造 一个 一般
连接 至 所有 设备 在 这 排列 和 连接 至 这
读 线条 从 这 系统 控制 bus 这个 assures 那 所有
deselected 记忆 设备 是 在 它们的 低 电源 备用物品
模式 和 那 这 输出 管脚 是 起作用的 仅有的 当 数据 是
desired 从 一个 particular 记忆 device
程序编制
CAUTION Exceeding 14V 在 管脚 1 (v
PP
) 将 损坏 这
EPROM
Initially 和 之后 各自 erasure 所有 位 的 这 非易失存储器 是 在
这 ‘‘1’s’’ state 数据 是 introduced 用 selectively 程序-
ming ‘‘0’s’’ 在 这 desired 位 locations 虽然 仅有的
‘‘0’s’’ 将 是 programmed 两个都 ‘‘1’s’’ 和 ‘‘0’s’’ 能 是 前-
sented 在 这 数据 word 这 仅有的 方法 至 改变 一个 ‘‘0’’ 至 一个
‘‘1’’ 是 用 ultraviolet 明亮的 erasure
这 非易失存储器 是 在 这 程序编制 模式 当 这 V
PP
电源 供应 是 在 1275V 和 OE 是 在 V
IH
它 是 必需的
那 在 least 一个 01
m
F 电容 是 放置 横过 V
PP
V
CC
至 地面 至 压制 spurious 电压 过往旅客 这个
将 损坏 这 device 这 数据 至 是 编写程序 是
应用 8 位 在 并行的 至 这 数据 输出 pins 这 水平
必需的 为 这 地址 和 数据 输入 是 TTL
当 这 地址 和 数据 是 stable 一个 起作用的 low TTL
程序 脉冲波 是 应用 至 这 CEPGM input 一个 程序
脉冲波 必须 是 应用 在 各自 地址 location 至 是 pro-
grammed 这 非易失存储器 是 编写程序 和 这 快 pro-
gramming Algorithm 显示 在
图示 1
各自 地址 是
编写程序 和 一个 序列 的 100
m
s 脉冲 直到 它 核实
good 向上 至 一个 最大 的 25 pulses 大多数 记忆 cells 将
程序 和 一个 单独的 100
m
s pulse
这 非易失存储器 必须 不 是 编写程序 和 一个 直流 信号 ap-
plied 至 这 CEPGM input
程序编制 多样的 非易失存储器 在 并行的 和 这 一样
数据 能 是 容易地 accomplished 预定的 至 这 simplicity 的 这
程序编制 requirments 像 输入 的 这 并行的 ep-
只读存储器 将 是 连接 一起 当 它们 是 pro-
grammed 和 这 一样 data 一个 低 水平的 TTL 脉冲波 应用
至 这 CEPGM 输入 programs 这 paralleled EPROM
程序 Inhibit
程序编制 多样的 EPROMs 在 并行的 和 不同的
数据 是 也 容易地 accomplished 除了 为 CEPGM 所有
像 输入 (包含 oe) 的 这 并行的 EPROMs 将 是
common 一个 TTL 低 水平的 程序 脉冲波 应用 至 一个 ep-
ROM’s CEPGM 输入 和 V
PP
在 1275V 将 程序 那
EPROM 一个 TTL 高 水平的 CEPGM 输入 inhibits 这 其它
EPROMs 从 正在 programmed
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