nt5ds64m4at nt5ds64m4aw
nt5ds32m8at nt5ds32m8aw
256mb ddr333/300 sdram
初步的
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Commands
真实 tables 1a 和 1b 提供 一个 涉及 的 这 commands supported 用 ddr sdram 设备. 一个 verbal 描述 的 各自
commands 跟随.
真实 表格 1a: commands
名字 (函数) CS RAS CAS 我们 地址 MNE 注释
deselect (nop) H X X X X NOP 1, 9
非 运作 (nop) L H H H X NOP 1, 9
起作用的 (选择 bank 和 活动 行) L L H H bank/行 ACT 1, 3
读 (选择 bank 和 column, 和 开始 读 burst) L H L H bank/col 读 1, 4
写 (选择 bank 和 column, 和 开始 写 burst) L H L L bank/col 写 1, 4
burst terminate L H H L X BST 1, 8
precharge (deactivate 行 在 bank 或者 banks) L L H L 代号 前 1, 5
自动 refresh 或者 自 refresh (enter 自 refresh 模式) L L L H X ar / sr 1, 6, 7
模式 寄存器 设置 L L L L 运算-代号 MRS 1, 2
1. cke 是 高 为 所有 commands 显示 除了 自 refresh.
2. ba0, ba1 选择 也 这 根基 或者 这 扩展 模式 寄存器 (ba0 = 0, ba1 = 0 选择 模式 寄存器; ba0 = 1, ba1 = 0 选择
扩展 模式 寄存器; 其它 结合体 的 ba0-ba1 是 保留; a0-a12 提供 这 op-code 至 是 写 至 这 选择 mode
寄存器.)
3. BA0-ba1 提供 bank 地址 和 一个0-一个12提供 行 地址.
4. ba0, ba1 提供 bank 地址; 一个0-一个
i
提供 column 地址 (在哪里
i
= 9 为 x8 和 9, 11 为 x4); a10 高 使能 这 自动 前-
承担 特性 (nonpersistent), a10 低 使不能运转 这 自动 precharge 特性.
5. 一个10低: ba0, ba1 决定 这个 bank 是 precharged.
一个10高: 所有 banks 是 precharged 和 ba0, ba1 是“Don’t 小心.”
6. 这个 command 是 自动 refreshif cke 是 高; 自 refresh 如果 cke 是 低.
7. 内部的 refresh 计数器 控制 行 和 bank 寻址; 所有 输入 和 i/os 是“Don’t 小心”除了 为 cke.
8. 应用 仅有的 至 读 bursts 和 自动 precharge 无能; 这个 command 是 未阐明的 (和 应当 不 是 使用) 为 读 bursts with 自动
precharge 使能 或者 为 写 bursts
9. deselect 和 nop 是 functionally interchangeable.
真实 表格 1b: dm 运作
名字 (函数) DM DQs 注释
写 使能 L 有效的 1
写 inhibit H X 1
1. 使用 至 掩饰 写 数据; 提供 coincident 和 这 相应的 数据.
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