nt5ds64m4at nt5ds64m4aw
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256mb ddr333/300 sdram
初步的
10/01
4
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输入/输出 函数的 描述
标识 类型 函数
ck,CK 输入
时钟:
ck 和CK是 差别的 时钟 输入. 所有 地址 和 控制 输入 信号 是 抽样
在 这 越过 的 这 积极的 边缘 的 ck 和 负的 边缘 的CK. 输出 (读) 数据 是 谈及-
enced 至 这 crossings 的 ck 和CK(两个都 方向 的 越过).
cke, cke0, cke1 输入
时钟 使能:
cke 高 activates, 和 cke 低 deactivates, 内部的 时钟 信号 和 设备
输入 缓存区 和 输出 驱动器. 带去 cke 低 提供 precharge 电源-向下 和 自
refresh 运作 (所有 banks 空闲), 或者 起作用的 电源-向下 (行 起作用的 在 任何 bank). cke 是 syn-
chronous 为 电源 向下 entry 和 exit, 和 为 自 refresh entry. cke 是 异步的 为 自
refresh exit. cke 必须 是 maintained 高 全部地 读 和 写 accesses. 输入 缓存区,
excluding ck,CK和 cke 是 无能 在 电源-向下. 输入 缓存区, excluding cke, 是
无能 在 自 refresh. 这 标准 引脚 包含 一个 cke 管脚. optional pinouts might
包含 cke1 在 一个 不同的 管脚, 在 增加 至 cke0, 至 facilitate 独立 电源 向下 控制
的 stacked 设备.
CS,CS0,CS1 输入
碎片 选择:
所有 commands 是 masked 当CS是 注册 高.CS提供 为 外部
bank 选择 在 系统 和 多样的 banks.CS是 考虑 部分 的 这 command 代号. 这
标准 引脚 包含 一个CS管脚. optional pinouts might 包含CS1在 一个 不同的 管脚, 在
增加 至CS0, 至 准许 upper 或者 更小的 deck 选择 在 stacked 设备.
RAS,CAS,我们 输入
command 输入:
RAS,CAS和我们(along 和CS) 定义 这 command 正在 entered.
DM 输入
输入 数据 掩饰:
dm 是 一个 输入 掩饰 信号 为 写 数据. 输入 数据 是 masked 当 dm 是
抽样 高 coincident 和 那 输入 数据 在 一个 写 进入. dm 是 抽样 在 两个都 edges
的 dqs. 虽然 dm 管脚 是 输入 仅有的, 这 dm 加载 matches 这 dq 和 dqs 加载. dur-
ing 一个 读, dm 能 是 驱动 高, 低, 或者 floated.
ba0, ba1 输入
bank 地址 输入:
ba0 和 ba1 定义 至 这个 bank 一个 起作用的, 读, 写 或者 precharge
command 是 正在 应用. ba0 和 ba1 也 确定 如果 这 模式 寄存器 或者 扩展 模式
寄存器 是 至 是 accessed 在 一个 mrs 或者 emrs 循环.
a0 - a12 输入
地址 输入:
提供 这 行 地址 为 起作用的 commands, 和 这 column 地址 和
自动 precharge 位 为 读/写 commands, 至 选择 一个 location 输出 的 这 记忆 排列 在
这 各自的 bank. a10 是 抽样 在 一个 precharge command 至 决定 whether 这 前-
承担 应用 至 一个 bank (a10 低) 或者 所有 banks (a10 高). 如果 仅有的 一个 bank 是 至 是 precharged,
这 bank 是 选择 用 ba0, ba1. 这 地址 输入 也 提供 这 运算-代号 在 一个 模式
寄存器 设置 command.
DQ 输入/输出
数据 输入/输出:
数据 总线.
DQS 输入/输出
数据 strobe:
输出 和 读 数据, 输入 和 写 数据. 边缘-排整齐 和 读 数据, 集中
在 写 数据. 使用 至 俘获 写 数据.
NC
非 连接:
非 内部的 电的 连接 是 呈现.
NU 电的 连接 是 呈现. 应当 不 是 连接 在 第二 水平的 的 组装.
V
DDQ
供应
dq 电源 供应:
2.5v
±
0.2v.
V
SSQ
供应
dq 地面
V
DD
供应
电源 供应:
2.5v
±
0.2v.
V
SS
供应
地面
V
REF
供应
sstl_2 涉及 电压:
(V
DDQ
/ 2)
±
1%.
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