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资料编号:521621
 
资料名称:NTB5605P
 
文件大小: 62.16K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 industries, llc, 2004
8月, 2004 − rev. 1
1
发行 顺序 号码:
ntb5605p/d
NTB5605P
电源 场效应晶体管
−60 v, −18.5 一个, p−channel, d
2
PAK
特性
设计 为 低 r
ds(在)
withstands 高 活力 在 avalanche 和 commutation 模式
产品
电源 供应
pwm 发动机 控制
转换器
电源 管理
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数
标识 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
−60 V
gate−to−source 电压 V
GS
20 V
持续的 流
电流 (便条 1)
稳步的
状态
T
一个
= 25
°
C I
D
−18.5 一个
电源 消耗
(便条 1)
稳步的
状态
T
一个
= 25
°
C P
D
88 W
搏动 流 电流 t
p
= 10
s I
DM
−55 一个
运行 接合面 和 存储 温度 T
J
,
T
STG
−55 至
175
°
C
单独的 脉冲波 drain−to−source avalanche
活力 (v
DD
= 25 v, v
GS
= 5.0 v, i
PK
= 15 一个,
l = 3.0 mh, r
G
= 25
)
E
338 mJ
含铅的 温度 为 焊接 目的
(1/8” 从 情况 为 10 s)
T
L
260
°
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 最大值 单位
junction−to−case (流) – 稳步的 状态 R
JC
1.7
°
c/w
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
可靠性 将 是 影响.
1. 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 1
垫子 大小 (cu 范围 1.127 在
2
).
2. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐
垫子 大小 (cu 范围 0.41 在
2
).
−60 v 120 m
@ −5.0 v
I
D
最大值V
(br)dss
R
ds(在)
典型值
−18.5 一个
设备 包装 Shipping
订货 信息
NTB5605P D
2
PAK 50 单位/栏杆
D
2
PAK
情况 418b
样式 2
1
2
3
4
P−Channel
D
S
G
标记 图解
&放大; 管脚 分派
NTB5605P
YWW
NTB5605P = 设备 代号
Y = 年
WW = 工作 week
NTB5605PT4 D
2
PAK 800/录音带 &放大; 卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
http://onsemi.com
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