首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:521626
 
资料名称:NTB75N06T4G
 
文件大小: 79.45K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号NTB75N06T4G的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号NTB75N06T4G的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号NTB75N06T4G的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号NTB75N06T4G的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号NTB75N06T4G的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号NTB75N06T4G的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号NTB75N06T4G的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ntp75n06, ntb75n06
http://onsemi.com
3
0
120
3
60
21
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
160
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
20
40
80
100
140
4
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
1.8
1.4
1.6
1.2
1
0.6
100
10
1000
10000
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
080604020 100 160
图示 3. on−resistance vs. gate−to−source
电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on−resistance vs. 流 电流 和
门 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
vs. 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
I
DSS
, 泄漏 (na)
−50 50250−25 75 100
2.5 3 7
04050302010 60
120
60
0
160
20
40
80
100
140
3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (normalized)
0.8
175150125
0.009
0.011
0.003
0.013
0.015
V
GS
= 10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= −55
°
C
I
D
= 37.5 一个
V
GS
= 10 v
V
DS
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 150
°
C
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= −55
°
C
V
GS
= 10 v
V
GS
= 6 v
V
GS
= 5 v
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 5.5 v
V
GS
= 8 v
V
GS
= 7 v
V
GS
= 15 v
V
GS
= 6.5 v
V
GS
= 9 v
0.007
0.005
120 140 0 80604020 100 160
0.009
0.011
0.003
0.013
0.015
0.007
0.005
120 140
2
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com