半导体 组件 industries, llc, 2004
8月, 2004 − rev. 2
1
发行 顺序 号码:
ntd20n03l27/d
NTD20N03L27
电源 场效应晶体管
20 放大器, 30 伏特, n−channel dpak
这个 逻辑 水平的 vertical 电源 场效应晶体管 是 一个 一般 目的 部分
那 提供 这 “best 的 design” 有 today 在 一个 低 费用 电源
包装. avalanche 活力 issues 制造 这个 部分 一个 完美的 设计 在.
这 drain−to−source 二极管 有 一个 完美的 快 但是 软 恢复.
特性
•
pb−free 包装 是 有
•
ultra−low r
ds(在)
, 单独的 根基, 先进的 技术
•
额外的刺激 参数 有
•
二极管 是 典型 为 使用 在 桥 电路
•
I
DSS
和 v
ds(在)
指定 在 提升 温度
•
高 avalanche 活力 指定
•
静电释放 jedac 评估 hbm 类 1, mm 类 一个, cdm 类 0
典型 产品
•
电源 供应
•
inductive 负载
•
pwm 发动机 控制
•
替代 mtd20n03l 在 许多 产品
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
30 Vdc
drain−to−gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
) V
DGR
30 Vdc
gate−to−source 电压
− 持续的
− non−repetitive (t
p
10 ms)
V
GS
V
GS
20
24
Vdc
流 电流
− 持续的 @ t
一个
= 25
C
− 持续的 @ t
一个
= 100
C
− 单独的 脉冲波 (t
p
10
s)
I
D
I
D
I
DM
20
16
60
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
C
减额 在之上 25
°
C
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
c (便条 1)
P
D
74
0.6
1.75
W
w/
°
C
W
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−55 至
150
°
C
单独的 脉冲波 drain−to−source avalanche
活力 − 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 30 vdc, v
GS
= 5 vdc, l = 1.0 mh,
I
l(pk)
= 24 一个, v
DS
= 34 vdc)
E
作
288 mJ
热的 阻抗
− junction−to−case
− junction−to−ambient
− junction−to−ambient (便条 1)
R
JC
R
JA
R
JA
1.67
100
71.4
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐
垫子 大小 和 repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面
温度.
20 一个, 30 v, r
ds(在)
= 27 m
N−Channel
D
S
G
1
门
3
源
2
流
4
流
DPAK
情况 369c
样式 2
20N3L = 设备 代号
一个 = 组装 location
Y = 年
WW = 工作 week
1
2
3
4
DPAK−3
情况 369d
样式 2
1
2
3
4
标记
图解
AYWW
20
N3L
1
门
3
源
2
流
4
流
AYWW
20
N3L
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维度 部分 在 页 2 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
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