NTD20N06
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3
0168244032
2
1.6
1.2
1.4
1
0.8
0.6
1
1000
10000
05
16
21
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
0.055
0.045
168
0.035
0.025
0.015
24
图示 3. on−resistance 相比
gate−to−source 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
I
DSS
, 泄漏 (na)
40
−50 50250−25 75 125100
2.6 4.23.4 7.4
0403020 6010
3
8
V
DS
≥
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 10 v
V
GS
= 15 v
150 175
V
GS
= 0 v
I
D
= 10 一个
V
GS
= 10 v
24
0.065
0.055
0.045
0.015
0.065
V
GS
= 10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
40
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
16
0
40
8
24
5 5.8
0.035
0.025
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
50
100
4
9 v
5 v
5.5 v
6 v
6.5 v
8 v
7 v
1.8
32
4.5 v
6.6
32
32
10
T
J
= 125
°
C