NTD2955
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典型 效能 曲线
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
图示 3. on−resistance 相比 流 电流
和 温度
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
图示 6. drain−to−source 泄漏
电流 相比 电压
012345
0
15
25
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
24 6 810
0
10
18
24
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
−10 v
T
J
= −55
°
C
25
°
C
125
°
C
V
GS
= −10 v
−9 v
−8 v
−6 v
−5 v
−7 v
5
10
20
3579
4
12
22
678910
16
6
03 6 15 24
0
0.10
0.20
0.30
0 6 21 24
0.050
0.075
0.200
0.250
−I
D
, 流 电流 (放大器)
−
I
D
, 流 电流 (放大器)
T
J
= 25
°
C
V
GS
= −10 v
T
J
= 125
°
C
25
°
C
−55
°
C
12 21 3 12 15
0.05
0.15
0.25
0.100
0.225
0.125
V
GS
= −10 v
−
15 v
189
0.35
0.40
0.175
918
0.150
−50
0.6
0.8
1.2
1.6
520 5060
1
100
1000
T
J
, 接合面 温度 (
°
c) −V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
−25 0 25 50 75 100 125 150
V
GS
= 0 v
V
GS
= −10 v
I
D
= −6 一个
15 30 40
1.0
1.4
T
J
= 125
°
C
175
0.4
0.2
0
1.8
2.0
100
°
C
−6.5 v
−5.5 v
−9.5 v
8
2
20
14
0.45
0.50
10
10 25 5535 45
−I
d,
流 电流 (一个)
−I
d,
流 电流 (一个)
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (normalized)
−I
DSS
, 泄漏 (na)