NTD20P06L
http://onsemi.com
4
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
−10 −5 0 5 10 15 20 25
gate−to−source 或者 drain−to−source
电压 (v)
图示 7. 电容 变化
V
GS
= 0 v
c, 电容 (pf)
V
DS
= 0 v T
J
= 25
°
C
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
C
rss
−V
GS
−V
DS
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
0481216
0
10
20
30
40
50
60
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source 电压 相比 总的 承担
−V
GS
, gate−to−source 电压
(v)
Q
G
Q
GD
Q
gs
V
DS
V
GS
I
D
= −15 一个 T
J
= 25
°
C
V
DS
, drain−to−source 电压
(v)
1
10
100
1000
1 10 100
t, 时间(ns)
t
R
t
F
t
d(止)
t
d(在)
V
DD
= −30 v
I
D
= −15 一个
V
GS
= −5 v
R
g
, 门 阻抗 (
)
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
0
5
10
15
20
0 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 1.75
−I
S
, 源 电流 (一个)
−V
SD
, source−to−drain 电压 (v)
图示 10. 二极管 向前 电压 相比
电流
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C