NTD20P06LT4_集成电路资料查询网

NTD20P06L
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−10 −5 0 5 10 15 20 25
gate−to−source 或者 drain−to−source
电压 (v)
图示 7. 电容 变化
V
GS
= 0 v
c, 电容 (pf)
V
DS
= 0 v T
J
= 25
°
C
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
C
rss
−V
GS
−V
DS
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
0481216
0
10
20
30
40
50
60
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source 电压 相比 总的 承担
−V
GS
, gate−to−source 电压
(v)
Q
G
Q
GD
Q
gs
V
DS
V
GS
I
D
= −15 一个 T
J
= 25
°
C
V
DS
, drain−to−source 电压
(v)
1
10
100
1000
1 10 100
t, 时间(ns)
t
R
t
F
t
d(止)
t
d(在)
V
DD
= −30 v
I
D
= −15 一个
V
GS
= −5 v
R
g
, 门 阻抗 (

)
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
0
5
10
15
20
0 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 1.75
−I
S
, 源 电流 (一个)
−V
SD
, source−to−drain 电压 (v)
图示 10. 二极管 向前 电压 相比
电流
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C

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NTD20P06L http://onsemi.com 4 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 −10 −5 0 5 10 15 20 25 gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (v) 图示 7. 电容变化 V GS = 0 v c, 电容 (pf) V DS = 0 v T J = 25 ° C C iss C oss C rss C iss C rss −V GS −V DS 0 2.5 5 7.5 10 12.5 15 0481216 0 10 20 30 40 50 60 Q g , 总的门承担 (nc) 图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source 电压相比总的承担 −V GS , gate−to−source 电压 (v) Q G Q GD Q gs V DS V GS I D = −15 一个 T J = 25 ° C V DS , drain−to−source 电压 (v) 1 10 100 1000 1 10 100 t, 时间(ns) t R t F t d(止) t d(在) V DD = −30 v I D = −15 一个 V GS = −5 v R g , 门阻抗 (  ) 图示 9. resistive 切换时间变化相比门阻抗 0 5 10 15 20 0 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 1.75 −I S , 源电流 (一个) −V SD , source−to−drain 电压 (v) 图示 10. 二极管向前电压相比电流 V GS = 0 v T J = 25 ° C

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