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资料编号:521702
 
资料名称:NTD3055-094
 
文件大小: 76.61K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 12 A, 60 V
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NTD3055−094
http://onsemi.com
9
包装 维度
DPAK−3
情况 369d−01
公布 b
样式 2:
管脚 1.
2.
3.
4.
*For额外的 信息 在 我们的 pb−free strategy 和 焊接
详细信息, 请 下载 这 在 半导体 焊接 和
挂载 技巧 涉及 手工的, solderrm/d.
焊接 footprint*
5.80
0.228
2.58
0.101
1.6
0.063
6.20
0.244
3.0
0.118
6.172
0.243
mm
英寸
规模 3:1
123
4
V
S
一个
K
−T−
SEATING
平面
R
B
F
G
D
3 pl
M
0.13 (0.005) T
C
E
J
H
DIM 最小值 最大值 最小值 最大值
MILLIMETERSINCHES
一个
0.235 0.245 5.97 6.35
B
0.250 0.265 6.35 6.73
C
0.086 0.094 2.19 2.38
D
0.027 0.035 0.69 0.88
E
0.018 0.023 0.46 0.58
F
0.037 0.045 0.94 1.14
G
0.090 bsc 2.29 bsc
H
0.034 0.040 0.87 1.01
J
0.018 0.023 0.46 0.58
K
0.350 0.380 8.89 9.65
R
0.180 0.215 4.45 5.45
S
0.025 0.040 0.63 1.01
V
0.035 0.050 0.89 1.27
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每
ansi y14.5m, 1982.
2. controlling 维度: inch.
Z
Z
0.155 −−− 3.93 −−−
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