NTD60N02RT4G_集成电路资料查询网

NTD60N02R
http://onsemi.com
4
2000
10 5 0 5 101520
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (v)
c, 电容 (pf)
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
V
DS
= 0 v
C
rss
V
GS
V
DS
1500
1000
500
0
图示 7. 电容 变化
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source
电压 相比 总的 承担
1
10
100
1000
1 10 100
R
G
, 门 阻抗 (

)
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
t, 时间 (ns)
V
DD
= 10 v
I
D
= 31 一个
V
GS
= 10 v
1
10
100
0.1 1 10 100
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
10

s
100

s
1 ms
10 ms
直流
V
GS
= 20 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
80
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
图示 10. 二极管 向前 电压 相比
电流
V
SD
, source−to−drain 电压 (v)
图示 11. 最大 评估 向前 片面的 safe 运行 范围
I
S
, 源 电流 (一个)
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
t
r
t
d(止)
t
f
t
d(在)
0
1
2
3
4
5
04610
Q
GS
Q
DS
V
GS
I
D
= 31 一个
T
J
= 25
°
C
28
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
V
DS
Q
T
0
4
8
12
16
20
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
70
60
50
40
30
20
10
0
1.4 1.6 1.8

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NTD60N02R http://onsemi.com 4 2000 10 5 0 5 101520 gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (v) c, 电容 (pf) T J = 25 ° C V GS = 0 v C iss C oss C rss C iss V DS = 0 v C rss V GS V DS 1500 1000 500 0 图示 7. 电容变化 Q g , 总的门承担 (nc) 图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source 电压相比总的承担 1 10 100 1000 1 10 100 R G , 门阻抗 (  ) 图示 9. resistive 切换时间变化相比门阻抗 t, 时间 (ns) V DD = 10 v I D = 31 一个 V GS = 10 v 1 10 100 0.1 1 10 100 R ds(在) 限制热的限制包装限制 10  s 100  s 1 ms 10 ms 直流 V GS = 20 v 单独的脉冲波 T C = 25 ° C V DS , drain−to−source 电压 (v) I D , 流电流 (一个) 80 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 图示 10. 二极管向前电压相比电流 V SD , source−to−drain 电压 (v) 图示 11. 最大评估向前片面的 safe 运行范围 I S , 源电流 (一个) V GS = 0 v T J = 25 ° C t r t d(止) t f t d(在) 0 1 2 3 4 5 04610 Q GS Q DS V GS I D = 31 一个 T J = 25 ° C 28 V DS , drain−to−source 电压 (v) V DS Q T 0 4 8 12 16 20 V GS , gate−to−source 电压 (v) 70 60 50 40 30 20 10 0 1.4 1.6 1.8

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