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资料编号:522022
 
资料名称:NUD3112DMT1
 
文件大小: 62.66K
   
说明
 
介绍:
Integrated Relay, Inductive Load Driver
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NUD3112
http://onsemi.com
4
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指定)
图示 2. 输出 特性
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
3.50.5 1.0 1.5 2.0 2.5
25
°
C
125
°
C
I
D
= 0.5 一个
V
GS
= 3.0 v
1200
1000
600
200
0
−50 −25 25 75 1250
21
0.1 1 1000
4500
3500
2500
1500
500
0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
125
°
C
3.0
800
400
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
I
d,
流 电流 (一个)
温度 (
°
c)
I
Z
, 齐纳 电流 (毫安)
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
图示 3. 转移 函数
图示 4. on−resistance 变化 vs.
温度
图示 5. r
ds(在)
变化 vs. gate−to−source
电压
图示 6. 齐纳 电压 vs. 温度
图示 7. 齐纳 clamp 电压 vs. 齐纳
电流
V
GS
= 3.0 v
V
GS
= 5.0 v
50 100
15.98
−50 −25 0 25 125
温度 (
°
c)
I
Z
= 10 毫安
10 100
25
°
C
0.7 0.8
V
GS
= 2.0 v
V
GS
= 1.5 v
V
GS
= 1.0 v
0.00001
4.0 4.5 5.0
85
°
C
−40
°
C
I
D
= 0.25 一个
V
GS
= 3.0 v
I
D
= 0.5 一个
V
GS
= 5.0 v
−40
°
C85
°
C 25
°
C
4000
3000
2000
1000
0
50 75 100
15.96
15.94
15.92
15.90
15.88
15.86
15.84
15.82
15.80
V
Z
, 齐纳 电压 (v)
V
Z
, 齐纳 clamp 电压 (v)
20
19
18
17
16
15
14
13
−40
°
C
85
°
C
I
D
= 250
一个
V
DS
= 0.8 v
I
d,
流 电流 (一个)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (m
)
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